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文檔簡介

端子壓著處電壓降主要影響因素本文以實驗、結(jié)論方式驗證分析了端子壓著處電壓降的主要影響因素，期望后續(xù)有高手進行理論驗證。品管部模擬項目壓著端子后測量數(shù)據(jù)壓降是否合格結(jié)論1、模擬芯線斷/線徑0.50.50.50.750.750.751.01.01.0合格斷1根銅絲影響壓降值﹢0.2~0.5mv，非電壓降超標主要原因斷銅絲數(shù)111111111標準壓降3mv3mv3mv5mv5mv5mv8mv8mv8mv實際壓降0.81.310.71.31.11.51.31.72、模擬壓著松緊/線徑0.50.50.50.750.750.751.01.01.0合格壓著高度超過標準高度對電壓降影響≈0.5mv，屬于正常波動范圍，非電壓降超標主要原因松（壓著高度）1.51.521.511.431.431.421.771.771.78標準高度±0.05mm1.41.41.41.351.351.351.681.681.68標準壓降3mv3mv3mv5mv5mv5mv8mv8mv8mv實際壓降0.71.20.91.211.11.40.81.2緊（壓著高度）1.331.331.321.271.281.281.751.741.75標準高度±0.05mm1.41.41.41.351.351.351.681.681.68標準壓降3mv3mv3mv5mv5mv5mv8mv8mv8mv實際壓降0.50.50.30.10.30.30.710.63、模擬氧化0.50.50.50.750.750.751.01.01.0超標端子表面氧化膜達到發(fā)灰顏色程度影響壓降﹢10mv，氧化膜達到黑色程度影響壓降﹢20mv，影響程度最高氧化時間（天）202060202060202060氧化程度（顏色）灰灰黑灰灰黑灰灰黑標準壓降3mv3mv3mv5mv5mv5mv8mv8mv8mv實際壓降7.210.718.211.413.717.91213.224.7刮亮端子頭后壓降5.33.58.54.75.63.13.45.74.5刮亮壓著處后壓降1.20.82.71.22.70.80.30.62.1數(shù)據(jù)分析1、端子氧化對電壓降影響機理端子氧化產(chǎn)生氧化膜，發(fā)生膜層電阻，膜層電阻高于端子材質(zhì)電阻，造成電壓降升高，氧化層過厚使測量端子壓著處電壓降超標。2、膜層電阻產(chǎn)生濕度和雜質(zhì)生產(chǎn)過程中手接觸端子，手汗使端子加速氧化空氣濕度/水加速端子氧化氧化膜層與其他污染物構(gòu)成的膜層電阻溫度用車過程中由于發(fā)熱使導(dǎo)電體接觸表面強烈氧化，產(chǎn)生電阻比導(dǎo)電體本身大得多的氧化層，使接觸電阻大大增加，致使接觸處發(fā)熱劇增，形成惡性循環(huán)，使導(dǎo)電體接觸處松動、變形、甚至產(chǎn)出熔材質(zhì)端

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