雙極型功率晶體管BJT_第1頁
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文檔簡介

雙極型功率晶體管BJT第1頁/共11頁9.3.1

雙極型功率晶體管（BJT）1.功率管的選擇(1)

PCM≥0.2Pom

(2)|U(BR)CEO|>2VCC(3)

ICM＞VCC/RC9.3

功率器件與散熱在互補(bǔ)推挽功率放大電路中,功率管的極限參數(shù)應(yīng)滿足以下關(guān)系第2頁/共11頁2．二次擊穿的影響iCuCEOBA二次擊穿一次擊穿S/B曲線二次擊穿現(xiàn)象二次擊穿臨界曲線iCuCEO第3頁/共11頁1.

V型NMOS管的結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)剖面圖9.3.2

功率MOSFET

s源極g柵極金屬源極SiO2溝道溝道外延層襯底d漏極_N

+PPNN

+N

+第4頁/共11頁2.

V型NMOS管的主要特點(diǎn)(1)開關(guān)速度高(2)驅(qū)動電流小(3)過載能力強(qiáng)(4)易于并聯(lián)第5頁/共11頁IGBT等效電路dT1gsRT2IGBT電路符號gsdT9.3.3

絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第6頁/共11頁絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的主要特點(diǎn)：(1)輸入阻抗高(2)工作速度快(3)通態(tài)電阻低(4)阻斷電阻高(5)承受電流大兼顧了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，成為當(dāng)前功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的重要方向。第7頁/共11頁外殼c集電結(jié)j散熱器sR(th)jcR(th)csR(th)sa環(huán)境a9.3.4

功率器件的散熱晶體管的散熱示意圖第8頁/共11頁導(dǎo)電回路（電路）散熱回路（熱路）參量符號單位參量符號單位電壓UV溫差ΔToC電流IA最大允許功耗PCMW電阻RΩ熱阻RToC/W

功率器件的散熱分析方法導(dǎo)電回路和散熱回路參數(shù)對照表電——熱模擬法,即用電路來模擬功率器件的散熱回路。第9頁/共11頁Tj——集電結(jié)的結(jié)溫Tc

——功率管的殼溫Ts

——散熱器溫度Ta

——環(huán)境溫度Rjc

——集電結(jié)到管殼的熱阻Rcs

——管殼至散熱片的熱阻Rsa

——散熱片至環(huán)境的熱阻散熱等效熱路TjTcTsTaRjc

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