PG-DB兩種GPP芯片工藝對比.ppt

1、PG/刀刮制程簡介,Part 1,Part 2,Part 3,目錄,1. 制程簡介,2. 制程圖示,3.各制程優(yōu)缺點,1.1：PG制程,1. 制程簡介,PG制程是一種先進的GPP芯片制造工藝，對PN結(jié)采用三層鈍化保護（SIPOS/玻璃/LTO) 。工藝過程是先在PN結(jié)表面沉積一層SIPOS,再通過光刻法上玻璃（光阻劑和玻璃粉的混合物，稱為Photo Glass），采用光刻的原理，先通過勻膠機自然旋轉(zhuǎn)的方法在晶片表面均勻覆蓋一層光阻玻璃（ Photo Glass )，然后通過烘烤、曝光、顯影去掉切割道及焊接面上的玻璃，只在PN結(jié)的表面留下需要鈍化保護的光阻玻璃，最后通過低溫玻璃的燒結(jié)的工藝將光阻

2、玻璃中的光阻劑去掉，最后在高溫下將粉狀玻璃燒結(jié)成致密的固態(tài)玻璃體，最后再在玻璃沉積一層LTO，從而起到非常致密地鈍化保護PN結(jié)的作用,1.2：刀刮制程,1. 制程簡介,刀刮制程是一種比較傳統(tǒng)的較為簡單的GPP芯片工藝，只有一層玻璃鈍化保護，即采用手工的方法用刀片將玻璃漿亂涂在晶片表面，再經(jīng)過低溫燒結(jié)將玻璃漿中的有機成份去掉，然后用手工擦拭的方法除掉焊接面的玻璃粉，留下溝槽中的玻璃粉，最后再經(jīng)過高溫燒結(jié)，將粉狀的玻璃燒結(jié)成固態(tài)玻璃體，從而起到鈍化保護PN結(jié)的作用,1：一次黃光/蝕刻后圖示,2. 制程圖示,2：二次黃光后圖示,2. 制程圖示,3：切割后晶粒圖示,2. 制程圖示,3. 各制程優(yōu)缺點,

3、4. PG 產(chǎn)品與DB 產(chǎn)品的實際表現(xiàn),我司普通整流PG 制程產(chǎn)品均采用SIPOS（Semi-insulating polycrystalline-silicon ) 為一種半絕緣的氧化膜，所以其會增加芯片的常溫（0.1uA左右）及高溫漏電。但是SIPOS本身的漏電流有限，所以到達一定的溫度后，SIPOS自身的漏電流不再增加，可以保證材料在高溫條件下穩(wěn)定性。一般在150條件下，仍為uA級別（50mil 芯片約為50uA）。 DB 的芯片如不采用SIPOS, 其PN 結(jié)表面鈍化直接為玻璃，玻璃為絕緣材料，所以其漏電可以做到很?。ǔ兀?.01uA），150條件下，正常材料IR 為10uA左右； 分別計算PG和DB制程芯片在150高溫條件下的功耗： PG: P=400V* 50uA=0.02W DB: P=400V* 10uA=0.004W； 此功耗其對材料結(jié)溫的影響非常小,4. PG 產(chǎn)品與DB 產(chǎn)品的實際表現(xiàn),統(tǒng)計以往，DB 和PG 制程產(chǎn)品的內(nèi)部HTRB 評估結(jié)果,備注：如果實驗后材料電性不符合產(chǎn)品規(guī)格即為不合格（一般為材料電壓衰降或者Short,從以上對比數(shù)據(jù)，我們可以發(fā)現(xiàn)單獨看少數(shù)幾顆材料的短時間評估結(jié)果，并不能反應PG 產(chǎn)品和