smt元器件知識(shí)培訓(xùn)

1、元器件知識(shí)2008年11月28日第一節(jié) 電阻v(一)電阻定義:v電阻是指電荷在電場(chǎng)力的作用下流過(guò)導(dǎo)體時(shí)，所受到的阻力v(二)電阻種類:v電阻可分為固定電阻器與可變電阻器v(1)固定電阻器v根據(jù)制作的材料不同，又可分為碳膜電阻、金屬膜電阻、線繞電阻、水泥電阻等v(2)可變電阻器：v可分為半可調(diào)電阻器和電位器兩類。v( (三三) )電阻作用電阻作用:電阻器在各種電路中阻礙電流的通過(guò)，起到降壓、分壓、穩(wěn)定和調(diào)節(jié)電流的作用，與電容組合還可起濾波的作用v( (四四) )常用電阻類型介紹常用電阻類型介紹v(1)表貼電阻va什么是表貼電阻?v表貼電阻是金屬玻璃鈾電阻的一種形式，它的電阻體是高可靠的釕系列玻璃

2、鈾材料經(jīng)過(guò)高溫?zé)Y(jié)而成，電極采用銀鈀合金漿料。vb.表貼電阻的特點(diǎn):v體積小，精度高，穩(wěn)定性好，由于其為片狀元件，所以高頻性能好vc.貼片電阻封裝英制和公制的關(guān)系及詳細(xì)的尺寸 英制(inch)公制(mm)長(zhǎng)(L)(mm)寬(W)(mm)高(t)(mm)a(mm)b(mm)020106030.600.050.300.050.230.050.100.050.150.05040210051.000.100.500.100.300.100.200.100.250.10060316081.600.150.800.150.400.100.300.200.300.20080520122.000.201.25

3、0.150.500.100.400.200.400.20120632163.200.201.600.150.550.100.500.200.500.20121032253.200.202.500.200.550.100.500.200.500.20181248324.500.203.200.200.550.100.500.200.500.20201050255.000.202.500.200.550.100.600.200.600.20251264326.400.203.200.200.550.100.600.200.600.20vd:表貼電阻的讀數(shù)v abc=ab*10cv例如:103=10

4、*103=10k v 472=47*102=4.7kv(2)金屬膜電阻va.什么是金屬膜電阻?v金屬膜電阻器就是以特種金屬或合金作電阻材料，用真空蒸發(fā)或?yàn)R射的方法，在陶瓷或玻璃基本上形成電阻膜層的電阻器。這類電阻器一般采用真空蒸發(fā)工藝制得。金屬膜電阻器的制造工藝比較靈活，不僅可以調(diào)整它的材料成分和膜層厚度，也可通過(guò)刻槽調(diào)整阻值，因而可以制成性能良好，阻值范圍較寬的電阻器 vb.金屬膜電阻的特點(diǎn):v金屬膜電阻精度高，穩(wěn)定性好，噪聲， 溫度系數(shù)小。在儀器儀表及通訊設(shè)備中大量采用 v(3)金屬氧化膜電阻va.什么是金屬氧化膜電阻?v這種電阻器是由能水解的金屬鹽類溶液（如四氯化錫和三氯化銻）在熾熱的玻

5、璃或陶瓷的表面分解覺(jué)積而成。vb.金屬氧化膜電阻的特點(diǎn)v耐高溫，工作溫度范圍為+140235在短時(shí)間內(nèi)可超負(fù)荷使用；電阻溫度系數(shù)為310-4/；化學(xué)穩(wěn)定性好。這種電阻器的電阻率較低，小功率電阻器的阻值不超過(guò)100千歐，因此應(yīng)用范圍受到限制，但可用作補(bǔ)充金屬膜電阻器的低阻部分 v(4)水泥電阻va.什么是水泥電阻?v水泥電阻器是將電阻線繞在無(wú)堿性耐熱瓷件上，外面加上耐熱、耐濕及耐腐蝕的材料保護(hù)固定并把繞線電阻體放入方形瓷器框內(nèi)，用特殊不燃性耐熱水泥充填密封而成。b.水泥電阻特點(diǎn)：1. 體積小、耐震、耐濕、耐熱及良好散熱，低價(jià)格等特性。2. 完全絕緣，適用于印刷電路板。3. 瓷棒上繞線然后接頭電焊

6、，制出精確電阻值及延長(zhǎng)壽命。4. 高電阻值采用金屬氧化皮膜體(MO)代替繞線方式制成。5. 耐熱性優(yōu)，電阻溫度系數(shù)小，呈直線變化。6. 耐短時(shí)間超負(fù)載，低雜音，阻值經(jīng)年無(wú)變化。v(5)玻璃鈾電阻器 va.什么是玻璃鈾電阻器 v將金屬粉和玻璃鈾粉混合，采用絲網(wǎng)印刷法印在基板上。 b.玻璃鈾電阻器的特點(diǎn)v耐潮濕， 高溫， 溫度系數(shù)小，主要應(yīng)用于厚膜電路 (6)波紋電阻v在圓柱形的瓷管上固定了兩個(gè)引出端子，陶瓷管表面上纏繞了扁帶波浪形狀的合金電阻絲，并在其表面涂覆一層具有阻燃，耐高溫特性的涂層。陶瓷管作為電阻絲骨架的同時(shí)，又具有散熱器的功效v優(yōu)勢(shì): 高電壓工作劣勢(shì): 抗震性較差v(7)高壓電阻v高壓

7、電阻器是適合在高電壓、高電壓沖擊、高壓高頻環(huán)境使用的電阻器。v高壓電阻分類:v高阻電阻、棒狀玻璃釉膜高壓電阻器、片狀玻璃釉膜高壓電阻器、晶圓高壓電阻無(wú)引線高壓電阻器超高頻氧化膜高壓電阻真空合成膜高壓電阻,金屬陶瓷阻尼高壓電阻,無(wú)引線阻尼晶圓高壓電阻器等 v高壓電阻器是適合在高電壓、高電壓沖擊、高壓高頻環(huán)境使用的電阻器。 v 真空合成膜高壓電阻器,主要是用于微電流測(cè)量電路中. 棒狀玻璃釉膜高壓電阻、片狀玻璃釉膜高壓電阻器主要是用于交直流或脈沖電路及高壓設(shè)備中. 金屬陶瓷阻尼高壓電阻器優(yōu)越的耐高壓高電流突波特性,比繞線型及薄膜型的電阻器更具安定性. 高頻電阻氧化膜高頻高壓電阻器主要用作超高頻電路中

8、的負(fù)載. 無(wú)引線阻尼晶圓高壓電阻器 - rmc(rmca, rmcb) 金屬陶瓷阻尼電阻器是采用金屬氧化物和陶瓷材料混合在高溫下燒結(jié)而成的電阻器.具有體積小、負(fù)荷能力強(qiáng),能承受瞬間高溫高壓的作用,作為汽車、摩托車點(diǎn)火用的高壓阻尼電阻,也可用在其它交、直流及脈沖電路中. v(8)壓敏電阻va.什么是壓敏電阻?v“壓敏電阻的意思是在一定電流電壓范圍內(nèi)電阻值隨電壓而變，或者是說(shuō)電阻值對(duì)電壓敏感的阻器。壓敏電阻器的電阻體材料是半導(dǎo)體，所以它是半導(dǎo)體電阻器的一個(gè)品種?，F(xiàn)在大量使用的氧化鋅（ZnO）壓敏電阻器，它的主體材料有二價(jià)元素（Zn）和六價(jià)元素氧（O）所構(gòu)成。 vb.壓敏電阻電路的“安全閥”作用 壓

9、敏電阻有什么用？壓敏電阻的最大特點(diǎn)是當(dāng)加在它上面的電壓低于它的閥值UN時(shí)，流過(guò)它的電流極小，相當(dāng)于一只關(guān)死的閥門，當(dāng)電壓超過(guò)UN時(shí)，流過(guò)它的電流激增，相當(dāng)于閥門打開(kāi)。利用這一功能，可以抑制電路中經(jīng)常出現(xiàn)的異常過(guò)電壓，保護(hù)電路免受過(guò)電壓的損害。 v(9) 電位器va.電位器是一種可調(diào)的電子元件。它是由一個(gè)電阻體和一個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)或滑動(dòng)系統(tǒng)組成。當(dāng)電阻體的兩個(gè)固定觸電之間外加一個(gè)電壓時(shí)，通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)或滑動(dòng)系統(tǒng)改變觸點(diǎn)在電阻體上的位置，在動(dòng)觸點(diǎn)與固定觸點(diǎn)之間便可得到一個(gè)與動(dòng)觸點(diǎn)位置成一定關(guān)系的電壓。 vb.電位器大多是用作分壓器，這是電位器是一個(gè)四端元件 v(10)電阻排v所謂排阻就是若干個(gè)參數(shù)完全相同的電阻，

10、它們的一個(gè)引腳都連到一起，作為公共引腳。其余引腳正常引出。所以如果一個(gè)排阻是由n個(gè)電阻構(gòu)成的，那么它就有n+1只引腳，一般來(lái)說(shuō)，最左邊的那個(gè)是公共引腳。它在排阻上一般用一個(gè)色點(diǎn)標(biāo)出來(lái)。排阻一般應(yīng)用在數(shù)字電路上 符號(hào)誤差（%）符號(hào)誤差（%）Y 0.001D 0.5X 0.002F 1E 0.005C 2L 0.01J 5P 0.02K 10W 0.05M 20B 0.1N 30C 0.25(五 )電阻字母與偏差的關(guān)系第二節(jié) 電感v什么是電感?v電感器（電感線圈）和變壓器均是用絕緣導(dǎo)線（例如漆包線、紗包線等）繞制而成的電磁感應(yīng)元件，也是電子電路中常用的元器件之一。 v當(dāng)閉合回路中的電流發(fā)生變化時(shí)，

11、由這個(gè)電流產(chǎn)生并穿過(guò)回路本身的磁通也發(fā)生變化，回路中將產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，這種現(xiàn)象稱為“自感”；v如果兩個(gè)線圈互相靠近，當(dāng)其中一個(gè)線圈中電流所產(chǎn)生的磁通有一部分與另-個(gè)線圈的磁通相環(huán)鏈，那么，這個(gè)線圈中的電流發(fā)生變化時(shí)，會(huì)在另一個(gè)線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，這種現(xiàn)象稱為互感。 v共模電感(Common mode Choke)v也叫共模扼流圈，常用于電腦的開(kāi)關(guān)電源中過(guò)濾共模的電磁干擾信號(hào)。在板卡設(shè)計(jì)中，共模電感也是起EMI濾波的作用，用于抑制高速信號(hào)線產(chǎn)生的電磁波向外輻射發(fā)射。v電感作用v電感是用線圈制作的，它的作用多是扼流濾波和濾除高頻雜波，它的外形有很多種：有的像電阻、有的像二極管、有的一看上去就是線

12、圈。 v我公司常用電感vL1001 200匝 1.788mH0.1mHvL1002 135匝 833.6uH20uHvL1003 23匝 28uH2uHvL1004 25匝 30uH2uHvL1005 14匝 8.5uH2uHvL0201 160匝 1.82mH0.04mHvUF10.5 =10mHv開(kāi)關(guān)電源變壓器 工作頻率高，輸出功率大，溫化小。 vR型鐵芯電源變壓器 磁性能優(yōu)良。 第三節(jié) 電容v(一)電容定義v是一種貯能元件，v是組成電子電路的基本元件之一v(二)電容分類v1、按照結(jié)構(gòu)分三大類：固定電容器、可變電容器和微調(diào)電容器。v2、按電解質(zhì)分類：有機(jī)介質(zhì)電容器、無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器、電解電容

13、器和空氣介質(zhì)電容器等。v3、按用途分有：高頻旁路、低頻旁路、濾波、調(diào)諧、高頻耦合、低頻耦合、小型電容器。v4、按制造材料的不同可以分為：瓷介電容、滌綸電容、電解電容、鉭電容，還有先進(jìn)的聚丙烯電容等v(三)電容的作用v電容器的作用主要有：耦合、濾波、隔直流、調(diào)諧以及與電感元件組成振蕩電路等。在電力系統(tǒng)中，它可以用以改善系統(tǒng)的功率參數(shù)，提高電能的利用率；在機(jī)械加工藝中可用以進(jìn)行電火花加工等。v(四)常用電容類型介紹(1)電解電容v電解電容是電容的一種介質(zhì)有電解液涂層有極性，分正負(fù)不可接錯(cuò)。電容(Electric capacity)，由兩個(gè)金屬極，中間夾有絕緣材料（介質(zhì)）構(gòu)成電解電容器通常是由金屬箔

14、（鋁/鉭）作為正電極，金屬箔的絕緣氧化層（氧化鋁/鉭五氧化物）作為電介質(zhì)，電解電容器以其正電極的不同分為鋁電解電容器和鉭電解電容器。鋁電解電容器的負(fù)電極由浸過(guò)電解質(zhì)液（液態(tài)電解質(zhì)）的薄紙/薄膜或電解質(zhì)聚合物構(gòu)成；鉭電解電容器的負(fù)電極通常采用二氧化錳 電解電容作用v隔直流：作用是阻止直流通過(guò)而讓交流通過(guò)。 旁路（去耦）：為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。 耦合：作為兩個(gè)電路之間的連接，允許交流信號(hào)通過(guò)并傳輸?shù)较乱患?jí)電路。 濾波：將整流以后的鋸齒波變?yōu)槠交拿}動(dòng)波，接近于直流。 儲(chǔ)能：儲(chǔ)存電能，用于必須要的時(shí)候釋放。 電解電容特點(diǎn)v電解電容器特點(diǎn)一：?jiǎn)挝惑w積的電容量非常大，比其它種類的電容

15、大幾十到數(shù)百倍。 v電解電容器特點(diǎn)二：額定的容量可以做到非常大，可以輕易做到幾萬(wàn)f甚至幾f（但不能和雙電層電容比v電解電容器特點(diǎn)三：價(jià)格比其它種類具有壓倒性優(yōu)勢(shì)，因?yàn)殡娊怆娙莸慕M成材料都是普通的工業(yè)材料，比如鋁等等。制造電解電容的設(shè)備也都是普通的工業(yè)設(shè)備，可以大規(guī)模生產(chǎn)，成本相對(duì)比較低 電解電容應(yīng)用v電解電容器通常在電源電路或中頻、低頻電路中起電源濾波、退耦、信號(hào)耦合及時(shí)間常數(shù)設(shè)定、隔直流等作用。一般不能用于交流電源電路，在直流電源電路中作濾波電容使用時(shí)，其陽(yáng)極（正極）應(yīng)與電源電壓的正極端相連接，陰極（負(fù)極）與電源電壓的負(fù)極端相連接，不能接反，否則會(huì)損壞電容器。(2)安規(guī)電容v安規(guī)電容是指用于

16、這樣的場(chǎng)合，即電容器失效后，不會(huì)導(dǎo)致電擊，不危及人身安全. 它包括了X電容和Y電容 x電容是跨接在電力線兩線（L-N）之間的電容，一般選用金屬薄膜電容；Y電容是分別跨接在電力線兩線和地之間（L-E，N-E）的電容，一般是成對(duì)出現(xiàn)?；诼╇娏鞯南拗?，Y電容值不能太大，一般X電容是uF級(jí)，Y電容是nF級(jí)。v安規(guī)電容作用vX電容抑制差模干擾，Y電容抑制共模干擾 (3)金屬化聚酯薄膜電容v其制法是在塑料薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬以做為電極。如此可以省去電極箔的厚度，縮小電容器單位容量的體積，所以薄膜電容器較容易做成小型，容量大的電容 v(4)薄膜電容器v薄膜電容器是將鋁等金屬箔當(dāng)成電極和塑料薄膜

17、重疊后卷繞在一起制成v特點(diǎn)v無(wú)極性，絕緣阻抗很高，頻率特性優(yōu)異(頻率響應(yīng)寬廣)，而且介質(zhì)損失很小 v應(yīng)用v被使用在模擬信號(hào)的交連，電源噪聲的旁路(反交連)等地方 v(5)金屬化聚丙烯薄膜電容v 金屬化聚酯薄膜電容v薄膜電容的一種，只不過(guò)它使用的薄膜是聚丙烯或聚乙酯v金屬化聚酯薄膜電容應(yīng)用:對(duì)穩(wěn)定性和損耗要求不高的低頻電路 v金屬化聚丙烯薄膜電容應(yīng)用:代替大部分聚苯或云母電容,用于要求較高的電路 v(6)瓷片電容v瓷片電容只要針對(duì)于高頻，高壓瓷片電容取決于你使用在什么場(chǎng)合，典型作用可以消除高頻干擾。 優(yōu)點(diǎn) 1.容量損耗隨溫度頻率具高穩(wěn)定性 2.特殊的串聯(lián)結(jié)構(gòu)適合于高電壓極長(zhǎng)期工作可靠性 3.高電

18、流爬升速率并適用于大電流回路無(wú)感型結(jié)構(gòu) . v(7)鉭電容v主要特點(diǎn)：損耗、漏電小于鋁電容應(yīng)用：在要求高的電路中代替鋁電容 (五)電容字母與偏差關(guān)系v電容器的容量誤差通常用字符表示：電容器的容量誤差通常用字符表示： 第一種，絕對(duì)誤差，通常以電容量的值的絕對(duì)誤差第一種，絕對(duì)誤差，通常以電容量的值的絕對(duì)誤差表示，以表示，以PF為單位，即：為單位，即：B代表代表0.1PF、C代表代表0.25PF、D代表代表0.5PF，Y代表代表1PF，A代表代表1.5PF,V代表代表5PF。這種表達(dá)方式通常用于小容。這種表達(dá)方式通常用于小容量電容。量電容。 v第二種，相對(duì)誤差，以電容量標(biāo)稱值的偏差第二種，相對(duì)誤差，

19、以電容量標(biāo)稱值的偏差百分?jǐn)?shù)表示，即：百分?jǐn)?shù)表示，即：D代表代表0.5%，P代表代表0.625%、F代表代表1%，R代表代表1.25%，G代表代表2%，U代表代表3.5%，J代表代表5%，K代表代表10%，M代表代表20%，S代表代表50%/-20%、Z代表代表80%/-20%。 第三節(jié) 二極管v(一 )二極管的原理v晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散

20、電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流I0。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，p-n結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。 v(二) 二極管的類型v二極管種類:v按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據(jù)其不同用途，可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開(kāi)關(guān)二極管等。v按照管芯結(jié)構(gòu)，又可分為點(diǎn)接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。v(三 )二極管的導(dǎo)電特性v二極管最重要的

21、特性就是單方向?qū)щ娦浴Ｔ陔娐分?，電流只能從二極管的正極流入，負(fù)極流出。下面通過(guò)簡(jiǎn)單的實(shí)驗(yàn)說(shuō)明二極管的正向特性和反向特性。 (1)正向特性v 在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負(fù)極接在低電位端，二極管就會(huì)導(dǎo)通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說(shuō)明，當(dāng)加在二極管兩端的正向電壓很小時(shí)，二極管仍然不能導(dǎo)通，流過(guò)二極管的正向電流十分微弱。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值（這一數(shù)值稱為“門檻電壓”，鍺管約為0.2V，硅管約為0.6V）以后，二極管才能直正導(dǎo)通。導(dǎo)通后二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3V，硅管約為0.7V），稱為二極管的“正向壓降” 2. 反向特性 在電子電路中，二極管的正極接

22、在低電位端，負(fù)極接在高電位端，此時(shí)二極管中幾乎沒(méi)有電流流過(guò)，此時(shí)二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，這種連接方式，稱為反向偏置。二極管處于反向偏置時(shí)，仍然會(huì)有微弱的反向電流流過(guò)二極管，稱為漏電流。當(dāng)二極管兩端的反向電壓增大到某一數(shù)值，反向電流會(huì)急劇增大，二極管將失去單方向?qū)щ娞匦?，這種狀態(tài)稱為二極管的擊穿。 v(四)二極管的主要參數(shù) 用來(lái)表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標(biāo)，稱為二極管的參數(shù)。不同類型的二極管有不同的特性參數(shù)。對(duì)初學(xué)者而言，必須了解以下幾個(gè)主要參數(shù)： v1、額定正向工作電流 是指二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí)允許通過(guò)的最大正向電流值。因?yàn)殡娏魍ㄟ^(guò)管子時(shí)會(huì)使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過(guò)容許限度（硅管為

23、140左右，鍺管為90左右）時(shí)，就會(huì)使管芯過(guò)熱而損壞。所以，二極管使用中不要超過(guò)二極管額定正向工作電流值。例如，常用的IN40014007型鍺二極管的額定正向工作電流為1A。 v2、最高反向工作電壓 加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時(shí)，會(huì)將管子擊穿，失去單向?qū)щ娔芰?。為了保證使用安全，規(guī)定了最高反向工作電壓值。例如，IN4001二極管反向耐壓為50V，IN4007反向耐壓為1000V。 v3、反向電流 反向電流是指二極管在規(guī)定的溫度和最高反向電壓作用下，流過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10，反向電流增大一倍

24、。v(五)常用二極管類型介紹 v(1)穩(wěn)壓二極管v什么是穩(wěn)壓二極管?v穩(wěn)壓二極管是一個(gè)特殊的面接觸型的半導(dǎo)體硅二極管，其V-A特性曲線與普通二極管相似，但反向擊穿曲線比較陡穩(wěn)壓二極管工作于反向擊穿區(qū)，由于它在電路中與適當(dāng)電阻配合后能起到穩(wěn)定電壓的作用，故稱為穩(wěn)壓管。穩(wěn)壓管反向電壓在一定范圍內(nèi)變化時(shí)，反向電流很小，當(dāng)反向電壓增高到擊穿電壓時(shí)，反向電流突然猛增，穩(wěn)壓管從而反向擊穿，此后，電流雖然在很大范圍內(nèi)變化，但穩(wěn)壓管兩端的電壓的變化卻相當(dāng)小，利于這一特性，穩(wěn)壓管就在電路到起到穩(wěn)壓的作用了。而且，穩(wěn)壓管與其它普能二極管不同之反向擊穿是可逆性的，當(dāng)去掉反向電壓穩(wěn)壓管又恢復(fù)正常，但如果反向電流超過(guò)允

25、許范圍，二極管將會(huì)發(fā)熱擊穿，所以，與其配合的電阻往往起到限流的作用。型號(hào)穩(wěn)壓范圍工作結(jié)溫1N4740A/10V/1WVZ=105%2001N4744A/15V/1WVZ=155%2001N4751A/30V/1WVZ=305%2001N4757A/51V/1WVZ=515%2001N4733A/5.1V/1WVZ=5.15%20015V/0.5WVZ=15IN5378B/100V/5WVZ=1005V-65200v穩(wěn)壓二極管應(yīng)用v1、浪涌保護(hù)電路:穩(wěn)壓管在準(zhǔn)確的電壓下?lián)舸?這就使得它可作為限制或保護(hù)之元件來(lái)使用,因?yàn)楦鞣N電壓的穩(wěn)壓二極管都可以得到,故對(duì)于這種應(yīng)用特別適宜. v2、電視機(jī)里的過(guò)壓

26、保護(hù)電路v3、電弧抑制電路v4、串聯(lián)型穩(wěn)壓電路v(2) 快恢復(fù)二極管v什么是快恢復(fù)二極管? 快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同，它屬于PIN結(jié)型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。 快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) 由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓?？旎謴?fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超

27、快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小，使其trr可低至幾十納秒。 名稱型號(hào)反向耐壓(v)恢復(fù)時(shí)間(ns) 工作結(jié)溫快恢復(fù)二極管FR1071000300 -50150快恢復(fù)二極管FR3071000300 -50150快恢復(fù)二極管MUR162020035 -65175快恢復(fù)二極管DSDI60-16A1600300 -40150快恢復(fù)二極管DH60-16A1600150 -40150快恢復(fù)二極管DH60-18A1800150 -40150快恢復(fù)二極管DSEI2X1011200 4060-40150超快恢復(fù)二極管BYV27-20020025 -55175超快恢復(fù)二極管BYV28-20020030 -5

28、5175超快恢復(fù)二極管BYV26E100075 -55175v快恢復(fù)二極管（簡(jiǎn)稱FRD）是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。v(3)肖特基二極管v肖特基（Schottky）二極管又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。 v30CTQ045 VRRM=45V TRR=10ns特點(diǎn)特點(diǎn)vSBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面：1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)?/p>

29、通門限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢(shì)壘電容的充、放電時(shí)間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開(kāi)關(guān)速度非?？?，開(kāi)關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。但是，由于SBD的反向勢(shì)壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結(jié)二極管大。v應(yīng)用應(yīng)用 vSBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流輸出場(chǎng)合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢

30、波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計(jì)算機(jī)中被廣泛采用。v(4)TVS(瞬態(tài)抑制二極管）v1、概述： TVS管是瞬態(tài)電壓抑制器（Transient Voltage Suppressor）的簡(jiǎn)稱。瞬態(tài)抑制二極管是一種限壓型的過(guò)電壓保護(hù)器件,它又叫TVS，它能以pS級(jí)的速度把過(guò)高的電壓限制在一個(gè)安全范圍之內(nèi)，從而起到保護(hù)后面電路的作用。廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體及敏感的電子零件過(guò)電壓、ESD保護(hù)上 vP6KE250A/DO-15 VRRM=214V,TRR=1 pSv特點(diǎn)v特點(diǎn)是：響應(yīng)速度特別快（為ps級(jí)）；耐浪涌沖擊能力較放電

31、管和壓敏電阻差(5)整流橋v整流橋的原理 整流橋就是將整流管封在一個(gè)殼內(nèi).分全橋和半橋.全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起.半橋是將兩個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路,一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, v整流橋的作用v就是能夠通過(guò)二極管的單向?qū)ǖ奶匦詫㈦娖皆诹泓c(diǎn)上下浮動(dòng)的交流電轉(zhuǎn)換為單向的直流電，通常電源中采用的整流橋除了這種單顆集成式的還有采用四顆二極管實(shí)現(xiàn)的，它們的原理完全相同 第四節(jié) 三極管v(一)晶體三極管的結(jié)構(gòu)和類型晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制

32、作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩個(gè)PN結(jié)把正塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種，分別為基極b發(fā)射極e和集電極c。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。v(二)晶體三極管的電流放大作用晶體三極管具有電流放大作用，其實(shí)質(zhì)是三極管能以基極電流微小的變化量來(lái)控制集電極電流較大的變化量。這是三極管最基本的和最重要的特性。電流放大倍數(shù)對(duì)于某一只三極管來(lái)說(shuō)是一個(gè)定值，但隨著三極管工作時(shí)基極電流的變化也會(huì)有一定的改變。v(三)常用三極管類型及介紹(1)MOS管 場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管 v根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏

33、極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件1.概念:場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件.特點(diǎn):具有輸入電阻高（1000000001000000000）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有v二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者.v作用:場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大.由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān).場(chǎng)效應(yīng)管很高的

34、輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源.v2.場(chǎng)效應(yīng)管的分類:v場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型(MOS)兩大類v(2)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管va.定義:它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管。vb.作用vMOS管為壓控元件,你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通,它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣,導(dǎo)通結(jié)的壓降最小.這就是常說(shuō)的精典是開(kāi)關(guān)作用.去掉這個(gè)控制電壓經(jīng)就截止. (2)可控硅v可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩

35、晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件 v(3)IGBTvIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。應(yīng)用于交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。 v由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到2030V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)： 在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸； 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊； 盡量在底板良好接地的情況下操作 v在安裝或更換IGBT模塊時(shí)，應(yīng)十分重視