第18講三極管

1、電工電子技術(shù)電工電子技術(shù) 譚甜源、張立宏譚甜源、張立宏 辦公地點(diǎn)：辦公地點(diǎn)：3 3教教33013301 手手 機(jī)：機(jī)：1592725685415927256854 E-Mail: E-Mail: QQ: QQ: 8238323582383235 QQ QQ群：群： 213738876213738876第五次作業(yè)參考答案回顧 本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體 半導(dǎo)體導(dǎo)電性的有關(guān)概念半導(dǎo)體導(dǎo)電性的有關(guān)概念 自由電子、空穴自由電子、空穴 N N型半導(dǎo)體、型半導(dǎo)體、P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 多數(shù)載流子、少數(shù)載流子多數(shù)載流子、少數(shù)載流子 施主雜質(zhì)、受主雜質(zhì)施主雜質(zhì)、受主雜質(zhì)+4+4+4+4+4

2、+4+4+4+4 價(jià)電子、共價(jià)鍵價(jià)電子、共價(jià)鍵回顧 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)、漂移運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)、漂移運(yùn)動(dòng) PN結(jié)的有關(guān)概念結(jié)的有關(guān)概念 伏安特性伏安特性 單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦?結(jié)電容結(jié)電容 空間電荷區(qū)、耗盡層、阻擋區(qū)空間電荷區(qū)、耗盡層、阻擋區(qū)NP內(nèi)電場(chǎng)R外電場(chǎng)外電場(chǎng)正向偏置反向偏置低電阻 大的正向擴(kuò)散電流高電阻 很小的反向漂移電流ui死區(qū)死區(qū)反向反向正向正向UBRURWMI0M導(dǎo)通區(qū)導(dǎo)通區(qū)IS擊穿區(qū)擊穿區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū) 如何用萬(wàn)用表判斷半導(dǎo)體二極如何用萬(wàn)用表判斷半導(dǎo)體二極管是硅管還是鍺管？管是硅管還是鍺管？回顧 光電二極管光電二極管 二極管的相關(guān)概念二極管的相關(guān)概念 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管 發(fā)光二極管發(fā)光二極管

3、普通二極管普通二極管kaVDI IS Su ui iU UR Rk ka aVSVSU UZ ZIIZ ZUUZ ZI IZmaxZmaxakak光電傳輸系統(tǒng)光電傳輸系統(tǒng) 回顧 二極管電路分析常用近似簡(jiǎn)化等效模型二極管電路分析常用近似簡(jiǎn)化等效模型 理想二極管模型理想二極管模型 恒壓降模型恒壓降模型 折線模型折線模型歷屆考題歷屆考題選擇題選擇題1、P型半導(dǎo)體（）。型半導(dǎo)體（）。（a）多子是自由電子，帶負(fù)電）多子是自由電子，帶負(fù)電 （b）多子是空穴，帶正電）多子是空穴，帶正電（c）少子是自由電子，不帶電）少子是自由電子，不帶電 （d）少子是空穴，帶負(fù)電）少子是空穴，帶負(fù)電cc2、N型半導(dǎo)體（）。型

4、半導(dǎo)體（）。（a）多子是自由電子，帶負(fù)電）多子是自由電子，帶負(fù)電 （b）多子是空穴，帶正電）多子是空穴，帶正電（c）少子是空穴，不帶電）少子是空穴，不帶電 （d）少子是空穴，帶正電）少子是空穴，帶正電3、電路如圖所示，設(shè)、電路如圖所示，設(shè)DZ1的穩(wěn)定電壓為的穩(wěn)定電壓為6V，DZ2的穩(wěn)定電壓為的穩(wěn)定電壓為12V，設(shè)穩(wěn)壓管的正向壓降為，設(shè)穩(wěn)壓管的正向壓降為0.7V，則輸出電壓，則輸出電壓UO等于（等于（ ）。）。 (a) 18V (b) 6.7V (c) 30V (d) 12.7V b歷屆考題歷屆考題計(jì)算題計(jì)算題五、如下圖所示電路，五、如下圖所示電路，ui=10sinwtV，VDz的穩(wěn)定電壓為的穩(wěn)

5、定電壓為3V。穩(wěn)壓二極管的正向壓降可忽略不計(jì)。試分析并畫出輸出電壓穩(wěn)壓二極管的正向壓降可忽略不計(jì)。試分析并畫出輸出電壓uo的波形。的波形。 解：解：當(dāng)ui0V時(shí)VDz反向擊穿，uo=-3+3=0V； 當(dāng)-3ui0V時(shí)VD截止，uo=ui。 uo的波形如下： 當(dāng)uiVBB調(diào)節(jié)調(diào)節(jié)RB，觀察，觀察IB、IC及及IE的變化。的變化。（2）IC IEIB（3）IB很小的變化引起很小的變化引起IC很大的變化，很大的變化，即即IC受受IB控制控制二、電流控制原理二、電流控制原理UBBRBIBICUCCRCNPIEN電子空穴電子電子電子電子電子電子電子電子電子電子電子電子電子電子電子電子電子電子電子電子電子

6、電子電子電子電子電子電子電子電子電子電子電子電子空穴電子電子電子發(fā)射區(qū)向基發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴(kuò)散電子區(qū)擴(kuò)散電子電源負(fù)極向發(fā)射電源負(fù)極向發(fā)射區(qū)補(bǔ)充電子形成區(qū)補(bǔ)充電子形成發(fā)射極電流發(fā)射極電流I IE E電子在基區(qū)的電子在基區(qū)的擴(kuò)散與復(fù)合擴(kuò)散與復(fù)合集電區(qū)收集電子集電區(qū)收集電子電子流向電源正電子流向電源正極形成極形成I IC CEB正極拉走電子，正極拉走電子，補(bǔ)充被復(fù)合的空補(bǔ)充被復(fù)合的空穴，形成穴，形成IB綜上所述，三極管具有電流控制作用必須滿足以下所有條件：綜上所述，三極管具有電流控制作用必須滿足以下所有條件：1、外部條件、外部條件發(fā)射結(jié)正向偏置發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置。集電結(jié)反向偏置。對(duì)于對(duì)于NP

7、N型三極管應(yīng)滿足型三極管應(yīng)滿足: UBE 0UBC VB VE對(duì)于對(duì)于PNP型三極管應(yīng)滿足型三極管應(yīng)滿足: UEB 0UCB 0即即 VC VB VT 。 小信號(hào)模型分析法應(yīng)用舉例小信號(hào)模型分析法應(yīng)用舉例圖示電路中，圖示電路中，VDD = 5V，R = 5k ，恒壓降模型的，恒壓降模型的VD=0.7V，vs = 0.1sinw wt V。（1）求輸出電壓）求輸出電壓vO的交流量和總量；（的交流量和總量；（2）繪出）繪出vO的波形。的波形。 1.6.4 1.6.4 三極管的簡(jiǎn)化小信號(hào)模型三極管的簡(jiǎn)化小信號(hào)模型b bc ce ee e0.40.4i iB B/A/Au uBEBE0.80.8202

8、04040606080800 0Q Q 所謂小信號(hào)模型，是指信號(hào)在所謂小信號(hào)模型，是指信號(hào)在某工作點(diǎn)某工作點(diǎn)Q Q附近微附近微小范圍內(nèi)變化時(shí)的線性化等效模型。小范圍內(nèi)變化時(shí)的線性化等效模型。I IB B=40A=40Au ucecei ic c三極管的簡(jiǎn)化小信號(hào)模型三極管的簡(jiǎn)化小信號(hào)模型),(CEB1BEvvif 在小信號(hào)情況下，對(duì)上兩式取全微分得在小信號(hào)情況下，對(duì)上兩式取全微分得CECEBEBBBEBEdddBCEvvvvv IVii用小信號(hào)交流分量表示用小信號(hào)交流分量表示vbe= hieib+ hrevceic= hfeib+ hoevce 對(duì)于對(duì)于BJT雙口網(wǎng)絡(luò)，已知輸入雙口網(wǎng)絡(luò)，已知輸

9、入輸出特性曲線如下：輸出特性曲線如下：iB=f(vBE) vCE=constiC=f(vCE) iB=const可以寫成：可以寫成：),(CEB2Cvifi CECECBBCCdddBCEvv IViiiiiBJT雙口網(wǎng)絡(luò)雙口網(wǎng)絡(luò)三極管的簡(jiǎn)化小信號(hào)模型三極管的簡(jiǎn)化小信號(hào)模型因此小信號(hào)交流信號(hào)之間的關(guān)系可簡(jiǎn)化為：因此小信號(hào)交流信號(hào)之間的關(guān)系可簡(jiǎn)化為：vbe= hieibic= hfeibBJT雙口網(wǎng)絡(luò)雙口網(wǎng)絡(luò) hre和和hoe都很小，常忽略它們的影響。都很小，常忽略它們的影響。 BJT在共射連接時(shí)，其在共射連接時(shí)，其H參數(shù)的數(shù)量級(jí)一般為參數(shù)的數(shù)量級(jí)一般為 S101010101052433oefe

10、reieehhhhhCEC feBVihi其中：其中：2 62 0 01b eE QrI（）因此三極管的簡(jiǎn)化小信號(hào)模型可表示如下：因此三極管的簡(jiǎn)化小信號(hào)模型可表示如下：常溫下（常溫下（T T=300K=300K）三極管的微變等效電路只能用來(lái)分析放大電路三極管的微變等效電路只能用來(lái)分析放大電路變化量變化量之間的關(guān)系之間的關(guān)系 beVBBEierivhCE 本節(jié)小結(jié)本節(jié)小結(jié)主要知識(shí)點(diǎn)：主要知識(shí)點(diǎn)：1.1.了解晶體管的基本結(jié)構(gòu)和主要特性曲線，理解了解晶體管的基本結(jié)構(gòu)和主要特性曲線，理解其主要參數(shù)的意義，理解晶體管的電流分配和其主要參數(shù)的意義，理解晶體管的電流分配和放大作用放大作用2. 2. 掌握三極

11、管電路的圖解法和簡(jiǎn)化小信號(hào)模型分掌握三極管電路的圖解法和簡(jiǎn)化小信號(hào)模型分析法析法思考題思考題填空題填空題3.為了保證三極管工作在放大區(qū)，對(duì)于為了保證三極管工作在放大區(qū)，對(duì)于NPN型三極管要求：型三極管要求：UBE ，UCB 。004.已知某晶體管處于放大狀態(tài)，測(cè)得其三個(gè)極的電位分別為已知某晶體管處于放大狀態(tài)，測(cè)得其三個(gè)極的電位分別為6V、11V和和5.7V，則，則5.7V所對(duì)應(yīng)的電極為所對(duì)應(yīng)的電極為 ，該晶體管，該晶體管的型號(hào)為的型號(hào)為 ，三極管所用的半導(dǎo)體材料為，三極管所用的半導(dǎo)體材料為 。 發(fā)射極發(fā)射極NPN鍺鍺5. 已知某晶體管處于放大狀態(tài)，測(cè)得其三個(gè)極的電位分別為已知某晶體管處于放大狀

12、態(tài)，測(cè)得其三個(gè)極的電位分別為-6V、-11V和和-6.7V，則，則-6V所對(duì)應(yīng)的電極為所對(duì)應(yīng)的電極為 ，該晶體，該晶體管的型號(hào)為管的型號(hào)為 ，三極管所用的半導(dǎo)體材料為，三極管所用的半導(dǎo)體材料為 。 發(fā)射極發(fā)射極PNP硅硅1.雙極性晶體管工作于放大模式的外部條件是雙極性晶體管工作于放大模式的外部條件是 、 。發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏2.雙極性晶體管工作于放大模式的內(nèi)部條件是雙極性晶體管工作于放大模式的內(nèi)部條件是 、 。發(fā)射區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)摻雜濃度發(fā)射區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)摻雜濃度基區(qū)很薄基區(qū)很薄 NPN三極管輸入輸出特性曲線三極管輸入輸出特性曲線iB uBE uce/Vic/m

13、A20AIB=040A60A80A100A電路符號(hào)電路符號(hào)b bc ce e輸入特性輸入特性輸出特性輸出特性 PNP三極管輸入輸出特性曲線三極管輸入輸出特性曲線iB uBE uce/Vic/mA-20AIB=0-40A-60A-80A-100A電路符號(hào)電路符號(hào)輸入特性輸入特性輸出特性輸出特性b bc ce eV（T） 1.7 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 BJT是一種是一種電流控制元件電流控制元件(iB iC)， 輸入電阻很低輸入電阻很低；且工作時(shí)，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行（所以且工作時(shí)，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行（所以被稱為雙極型器件），被稱為雙極型器件），溫度性能差溫度性

14、能差。 場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor簡(jiǎn)稱簡(jiǎn)稱FET）是一種）是一種電壓控制器件電壓控制器件(uGS iD) ，基本上不需要信號(hào)源提供電流，基本上不需要信號(hào)源提供電流，所以它的輸入電阻高，可達(dá)所以它的輸入電阻高，可達(dá)1071012 ，控制方便；工作控制方便；工作時(shí)，只有一種載流子參與導(dǎo)電，因此它是單極型器件。時(shí)，只有一種載流子參與導(dǎo)電，因此它是單極型器件。 FET因其因其制造工藝簡(jiǎn)單制造工藝簡(jiǎn)單，功耗小功耗小，溫度特性好溫度特性好，輸入輸入電阻極高電阻極高等優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛應(yīng)用。等優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛應(yīng)用。 把源極和襯底均接地，在柵源間加一電壓把源極和襯底均接地，

15、在柵源間加一電壓UGS，此時(shí)，此時(shí)，襯底與柵極相當(dāng)于一平板電容器。襯底與柵極相當(dāng)于一平板電容器。 柵極柵極與半導(dǎo)體與半導(dǎo)體襯底襯底之間絕緣，故稱絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管之間絕緣，故稱絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管或稱金屬或稱金屬氧化物氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，其英文為半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，其英文為Metal-Oxide-Smeiconductor，簡(jiǎn)稱簡(jiǎn)稱MOS管。管。 在電場(chǎng)的作用下，襯底上部的多數(shù)載流子（在電場(chǎng)的作用下，襯底上部的多數(shù)載流子（空穴空穴）推）推向底部，而把襯底中的少數(shù)載流子（向底部，而把襯底中的少數(shù)載流子（電子電子）吸引到與絕緣）吸引到與絕緣層交界的層交界的P型襯底的表面層。型襯底的表面層。 在在P型硅襯底上擴(kuò)

16、散兩個(gè)高摻雜的型硅襯底上擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜的N型區(qū)，從它們上型區(qū)，從它們上面引出電極，分別叫做面引出電極，分別叫做源極源極和和漏極漏極， 當(dāng)當(dāng)UGS相當(dāng)大時(shí)，可使這一表層中的自由電子濃度相當(dāng)大時(shí)，可使這一表層中的自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴的濃度，使這一薄層由原來(lái)的遠(yuǎn)大于空穴的濃度，使這一薄層由原來(lái)的P型轉(zhuǎn)變成型轉(zhuǎn)變成N型，即成為型，即成為P型襯底的型襯底的反型層反型層。 在兩在兩N型區(qū)之間的硅片表面生成一層薄薄的二氧化型區(qū)之間的硅片表面生成一層薄薄的二氧化硅絕緣層，硅絕緣層，在絕緣層上面設(shè)置一金屬電極，叫在絕緣層上面設(shè)置一金屬電極，叫柵極柵極。 這一反型層溝通了兩個(gè)這一反型層溝通了兩個(gè)N區(qū)，形成了導(dǎo)電

17、溝道。因溝區(qū)，形成了導(dǎo)電溝道。因溝道是電子型的，故稱道是電子型的，故稱N溝道溝道。2.2.基本結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu)3.3.工作原理工作原理S源極源極SourceN+P型硅襯底型硅襯底GateDrain1 1）增強(qiáng)型導(dǎo)電溝道的形成）增強(qiáng)型導(dǎo)電溝道的形成 UGSG柵極柵極D漏極漏極SiO2絕緣層絕緣層2）耗盡型導(dǎo)電溝道的形成）耗盡型導(dǎo)電溝道的形成 S N+N+P型硅襯底型硅襯底GD耗盡的管子，在制造時(shí)就形成了導(dǎo)電溝道。耗盡的管子，在制造時(shí)就形成了導(dǎo)電溝道。N+（1）vGS對(duì)溝道的控制作用對(duì)溝道的控制作用 把溝道由不通變?yōu)閷?dǎo)通的臨界柵源電壓稱為把溝道由不通變?yōu)閷?dǎo)通的臨界柵源電壓稱為開(kāi)啟電開(kāi)啟電壓壓，用，用U

18、GS（th）表示。表示。(2) 漏源電壓漏源電壓uDS對(duì)漏極電流對(duì)漏極電流id的控制作用的控制作用（a）uds=0時(shí)，時(shí)， id=0。 （截止區(qū)）（截止區(qū)）（b）uds id； 同時(shí)溝道靠漏區(qū)變窄。同時(shí)溝道靠漏區(qū)變窄。 （可變電阻區(qū)）（可變電阻區(qū)）（c）當(dāng)）當(dāng)uds增加到使增加到使ugd=UT時(shí)，時(shí)，溝道靠漏區(qū)夾斷，稱為溝道靠漏區(qū)夾斷，稱為預(yù)夾斷預(yù)夾斷。（d）uds再增加，預(yù)夾斷區(qū)再增加，預(yù)夾斷區(qū)加長(zhǎng)，加長(zhǎng)， uds增加的部分基本降落增加的部分基本降落在隨之在隨之加長(zhǎng)加長(zhǎng)的夾斷溝道上，的夾斷溝道上， id基本不變?；静蛔?。（恒流區(qū)）（恒流區(qū)）-s二氧化硅P襯底gDDV+Nd+bNVGGid-

19、二氧化硅NisdNVb+DDdVP襯底GGg-GGbVd二氧化硅siNgDD+dP襯底VN+-P襯底d+dDDVs+二氧化硅NNbiGGVg 當(dāng)當(dāng)uGSUT，且固定為某一值時(shí)，來(lái)分析漏源電，且固定為某一值時(shí)，來(lái)分析漏源電壓壓VDS對(duì)漏極電流對(duì)漏極電流ID的影響。的影響。（3） vDS和和vGS同時(shí)作用時(shí)同時(shí)作用時(shí) vDSDS一定，一定，vGSGS變化時(shí)，變化時(shí)，i iD D隨隨UgsUgs的變化而變化。的變化而變化。 給定一個(gè)給定一個(gè)vGS GS ，就有一條不同的，就有一條不同的 iD D vDS DS 曲線。曲線。-P襯底d+dDDVs+二氧化硅NNbiGGVgU UG GS SG GD D

20、U UDSDSU UGSGSU UDDDD+ + - -+ + - -R RD DI ID D（1 1）輸出（漏極）特性）輸出（漏極）特性常數(shù)）（GSUDSDufiU UGSGS=2V=2V4V4V5V5VU UDSDSI ID D3V3VU UGSGS=0V=0V2 2V V1V1VU UDSDSI ID D1V1V可變電阻區(qū)可變電阻區(qū)可變電阻區(qū)可變電阻區(qū)恒恒 流流 區(qū)區(qū) 擊擊 穿穿 區(qū)區(qū) 恒恒 流流 區(qū)區(qū) 擊擊 穿穿 區(qū)區(qū) 增強(qiáng)型耗盡型U UDSDS（BRBR）U UDSDS（BRBR）4.4.MOSMOS管的特性曲線管的特性曲線 截止區(qū)截止區(qū)當(dāng)當(dāng)vGSVT時(shí)，導(dǎo)電溝道尚未形成，時(shí)，導(dǎo)電溝

21、道尚未形成，iD0，為截止工作狀態(tài)。為截止工作狀態(tài)。 可變電阻區(qū)可變電阻區(qū) vDS（vGSVT）iD隨隨vDS增大而線性增大，相當(dāng)于一個(gè)受增大而線性增大，相當(dāng)于一個(gè)受vGS控制的可變電阻控制的可變電阻 截止區(qū)截止區(qū) 飽和區(qū)（恒流區(qū)、放大區(qū)）飽和區(qū)（恒流區(qū)、放大區(qū)）vGS VT ，且，且vDS（vGSVT） 擊穿區(qū)擊穿區(qū)vDSvDS（BR） (2)(2)轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線： iD=f(uGS) uDS=const 可根據(jù)輸出特性曲線作出可根據(jù)輸出特性曲線作出轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線。例：作例：作uDS=10V的一條的一條轉(zhuǎn)移特性曲線：轉(zhuǎn)移特性曲線：i(mA)DGS=6Vuu=5VGS=4V

22、uGSu=3VGSuDS(V)Di(mA)10V12341432(V)uGS246有導(dǎo)電溝道有導(dǎo)電溝道無(wú)導(dǎo)電溝道無(wú)導(dǎo)電溝道2GSDDO()(1)GS thiIuu（UGS UGS（th）增強(qiáng)型增強(qiáng)型NMOS管管轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性 由于耗盡型的管子具有原始導(dǎo)電溝道，所以由于耗盡型的管子具有原始導(dǎo)電溝道，所以UGS=0時(shí)漏時(shí)漏極電流極電流ID已經(jīng)存在，此稱為已經(jīng)存在，此稱為漏極飽和電流，漏極飽和電流，用用IDSS表示。表示。 當(dāng)減小當(dāng)減小UDS（即向負(fù)的方向增加時(shí)）到某一數(shù)值時(shí)，溝道（即向負(fù)的方向增加時(shí)）到某一數(shù)值時(shí)，溝道斷開(kāi)，斷開(kāi)， ID =0，管子處于截止?fàn)顟B(tài)。，管子處于截止?fàn)顟B(tài)。S N+N+P

23、型硅襯底型硅襯底GD（3）耗盡型耗盡型NMOS轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性UGSIDUDS=常數(shù)UGSUDS常數(shù)）（DSUGSDufi21）（offGSGSDSSDUuIiIDSSUGS（off）此時(shí)的柵此時(shí)的柵源電壓稱源電壓稱夾斷電壓夾斷電壓UGS（off） 。（UGS UGS（off）漏極飽和電流（4 4）主要參數(shù)主要參數(shù)1 1）特性參數(shù)）特性參數(shù) 增強(qiáng)型增強(qiáng)型MOSMOS管的開(kāi)啟電壓管的開(kāi)啟電壓U UGSGS（thth） ，耗盡型管的夾，耗盡型管的夾斷電壓斷電壓U UGSGS（offoff）和飽和漏極電流和飽和漏極電流I IDSS DSS 。低頻跨導(dǎo)低頻跨導(dǎo)gmgm常數(shù)DSUGSDmUIg gm的大

24、小反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。的大小反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。 在轉(zhuǎn)移特性曲線上，在轉(zhuǎn)移特性曲線上， gm為的曲線的斜率。為的曲線的斜率。 在輸出特性曲線上也可求出在輸出特性曲線上也可求出gm。1(mA)DSu=6V=3VuuGS(V)1D624i43=5V(mA)243iDG S210V(V)uG SiDG SuiD2 2）極限參數(shù)）極限參數(shù)（5 5）簡(jiǎn)化小信號(hào)模型）簡(jiǎn)化小信號(hào)模型g gm mu uGSGSu uGSGSi id dS SD DG G可見(jiàn)場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制器件?？梢?jiàn)場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制器件。 最大漏最大漏源極擊穿電壓源極擊穿電壓U UDSDS（BRBR） ；柵柵源極擊穿電壓源極擊穿電壓U UGSGS（BRBR） ；最大漏極電流最大漏極電流I IDMDM和最大耗散功率和最大耗散功率P PDM DM 。 由于柵源間絕緣，故由于柵源間絕緣，故r rGSGS=；由于輸出特性的恒由于輸出特性的恒流特性，漏源間為受流特性，漏源間為受u uGSGS控制的電流源，即控制的電流源，即場(chǎng)效應(yīng)晶體管與雙極型晶體管的比較場(chǎng)效應(yīng)晶體管與雙極型晶體管的比較項(xiàng)目項(xiàng)目 器件名稱器件名稱雙極型晶體管雙極型晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管載流子載流子兩種不同極性