MOS集成電路工藝入門資料課件(PPT 31頁)

1、IC常用術語園片：硅片芯片(Chip, Die)：6、8 ：硅（園）片直徑：1 25.4mm6150mm; 8200mm; 12300mm; 亞微米1m的設計規(guī)范深亞微米 0反型層 溝道源（Source）S漏（Drain）D柵（Gate）G柵氧化層厚度：50埃1000埃（5nm100nm）VT閾值電壓電壓控制N溝MOS（NMOS） P型襯底，受主雜質； 柵上加正電壓，表面吸引電子，反型，電子通道； 漏加正電壓，電子從源區(qū)經N溝道到達漏區(qū)，器件開通。5.第5頁，共31頁。N襯底p+p+漏源柵柵氧化層場氧化層溝道P溝MOS（PMOS）GDSVTVGSID+-VDS 0 N型襯底，施主雜質，電子導電

2、； 柵上加負電壓，表面吸引空穴，反型，空穴通道； 漏加負電壓，空穴從源區(qū)經P溝道到達漏區(qū)，器件開通。6.第6頁，共31頁。CMOS CMOS：Complementary Symmetry Metal Oxide Semiconductor 互補對稱金屬氧化物半導體特點：低功耗VSSVDDVoViCMOS倒相器PMOSNMOSI/OI/OVDDVSSCCCMOS傳輸門7.第7頁，共31頁。N-SiP+P+n+n+P-阱DDVoVGVSSSSVDDCMOS倒相器截面圖CMOS倒相器版圖8.第8頁，共31頁。pwellactivepolyN+ implantP+ implantomicontactm

3、etalA NMOS Example9.第9頁，共31頁。pwellPwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetal10.第10頁，共31頁。Ntype SiSiO2光刻膠光MASK Pwell11.第11頁，共31頁。Ntype SiSiO2光刻膠光刻膠MASK Pwell12.第12頁，共31頁。Ntype SiSiO2光刻膠光刻膠SiO213.第13頁，共31頁。Ntype SiSiO2SiO2Pwell14.第14頁，共31頁。pwellactivePwellActivePolyN+ implantP+ implantOmiconta

4、ctMetal15.第15頁，共31頁。Ntype SiSiO2PwellSiO2光刻膠MASK activeMASK ActiveSi3N416.第16頁，共31頁。Ntype SiSiO2PwellSiO2光刻膠光刻膠MASK activeMASK ActiveSi3N417.第17頁，共31頁。Ntype SiSiO2PwellSiO2光刻膠光刻膠Si3N418.第18頁，共31頁。Ntype SiSiO2PwellSiO2場氧場氧場氧PwellSi3N419.第19頁，共31頁。Ntype SiSiO2Pwell場氧場氧場氧Pwell20.第20頁，共31頁。Ntype SiSiO2P

5、wellSiO2場氧場氧場氧Pwellpoly21.第21頁，共31頁。activepwellpolyPwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetal22.第22頁，共31頁。Ntype SiSiO2PwellSiO2MASK poly場氧場氧場氧Pwellpoly光刻膠23.第23頁，共31頁。Ntype SiSiO2PwellSiO2MASK poly場氧場氧場氧Pwell光刻膠poly24.第24頁，共31頁。Ntype SiSiO2PwellSiO2場氧場氧場氧Pwellpoly25.第25頁，共31頁。Ntype SiSiO2Pwe

6、llSiO2場氧場氧場氧Pwellpoly26.第26頁，共31頁。activepwellpolyN+ implantPwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetal27.第27頁，共31頁。Ntype SiSiO2PwellSiO2MASK N+場氧場氧場氧Pwellpoly光刻膠28.第28頁，共31頁。Ntype SiSiO2PwellSiO2場氧場氧場氧Pwell光刻膠polyN+ implantS/D29.第29頁，共31頁。activepwellpolyP+ implantPwellActivePolyN+ implantP+ impl