信息顯示技術(shù)：第六章 有機(jī)電致發(fā)光顯示

1、信息顯示技術(shù)第六章 有機(jī)電致發(fā)光顯示SONY OLED HDTVSONY 2008年展出了一臺(tái)僅有3mm厚的OLED HDTV。尺寸為11英寸 索尼公司發(fā)布了新的21英寸OLED電視原型（XEL - 2），分辨率達(dá)到1366x760，對(duì)比度高達(dá)1000000:1，整個(gè)電視機(jī)厚度只有1.4毫米。OLED臺(tái)灣奇晶光電于2008年開(kāi)發(fā)出了一款厚度為0.9mm的25英寸的OLED液晶面板，并且在 “FPD International 2008”上展出。 OLED索尼開(kāi)發(fā)出了驅(qū)動(dòng)元件采用氧化物半導(dǎo)體TFT（TOS(IGZO)TFT）的11.7英寸OLED面板，確保了OLED電視要求的10年以上的壽命 像

2、素為960540。全白亮度為 200cd/m2 ，峰值亮度為600cd/m2以上。對(duì)比度為100萬(wàn)比1以上，色彩表現(xiàn)范圍按NTSC規(guī)格比為100以上 OLED臺(tái)灣友達(dá) 14寸19201080的全高清分辨率索尼在CES 2010上展示了新的3D AMOLED電視原型。該電視顯示器為24.5英寸 OLED三星 40寸分辨率：1366xRGBx768外形尺寸：（15 inch）347.938x210.293x1.70色彩數(shù)：1670萬(wàn)亮度（Peak/cd/m）：200/440對(duì)比度：大于100,000:1色彩表現(xiàn)范圍為NTSC%: 大于87可視角度：全方位視角響應(yīng)時(shí)間：小于0.01ms接口：LVDS

3、LG OLED 該款OLED電視原型厚度僅為0.9毫米，是當(dāng)前最薄的OLED電視厚度的1/3，是最薄的液晶電視的1/10。由于采用有機(jī)發(fā)光材料，該款電視機(jī)無(wú)需背后照明，因此顯示屏厚度僅為0.3毫米。 OLED三星展示0.05mm超薄OLED顯示屏 （2008年） 分辨率為480 272，對(duì)比度為100,000:1，亮度為200cd/m2。 OLED柔性O(shè)TFT OLED顯示屏參數(shù)大?。?.1寸分辨率：432 X 240像素精細(xì)度：121PPI顯示顏色：1677萬(wàn)色最高亮度：大于100流明對(duì)比度：大于1000：1 厚度：80m依附卷繞圓柱體半徑：4mmSonyOLED6英寸的AMOLED電子紙技

4、術(shù)，在彎曲下仍能播放內(nèi)容，該產(chǎn)品可重覆彎曲2500次之多。 OLED臺(tái)灣工研院索尼OLED腕戴式投影電腦新概念產(chǎn)品歐司朗光電半導(dǎo)體公司表示已經(jīng)開(kāi)發(fā)一個(gè)透明白光OLED。在1,000cd/m2亮度發(fā)光效率超過(guò)20流明每瓦 OLED飛利浦公布兩塊OLED光源，尺寸為43.7x47.4mm和39.4x73.1mm，由一個(gè)外置驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)器上提供了開(kāi)關(guān)和調(diào)光旋鈕。OLED照明最大的特點(diǎn)就是薄，兩塊樣品燈的厚度都只有1.8mm。提供1000cd/m2亮度，20lm/w能效，壽命為10000小時(shí)。OLEDPanasonic于2009年推出OLED照明面板OLEDLumiotec于2月15日開(kāi)始在其網(wǎng)站

5、上受理OLED照明面板樣品供貨事宜。該公司稱其2010年7月將以年4萬(wàn)片的規(guī)模開(kāi)始生產(chǎn)，2013年將開(kāi)始商業(yè)規(guī)模的量產(chǎn)供貨。樣品供貨的是一片尺寸145mm145mm的OLED照明面板和由控制器和AC適配器組成的“設(shè)計(jì)樣品套件”。價(jià)格為8萬(wàn)日元（不含稅）。OLED英國(guó)Sumation TOPLESS展示白光OLED臺(tái)燈。臺(tái)燈由五個(gè)OLED小組組成，每個(gè)厚度僅為0.7毫米OLED飛利浦推出透明顯示器OLED華南理工大學(xué)：MOTFT-AMOLED顯示技術(shù)研究與集成開(kāi)創(chuàng)了低成本、大面積制備OLED顯示屏新途徑實(shí)現(xiàn)國(guó)際上第一塊全印刷OLED顯示屏（結(jié)合自主研制的界面材料和技術(shù)，突破了發(fā)光薄膜、金屬陰極均

6、采用噴墨打印關(guān)鍵技術(shù)）突破了57英寸MOTFT基板技術(shù)，自主研制了MOTFT陣列背板的單色、全彩色、透明、觸控AMOLED顯示屏。國(guó)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)Nd-IZO氧化物TFT新技術(shù)AMOLED顯示屏國(guó)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)氧化物TFT的彩色柔性AMOLED顯示屏彩色柔性AMOLED顯示屏規(guī)格屏幕尺寸4.8英寸TFT背板氧化物技術(shù)（Ln-IZO TFT）像素電路2T1C像素規(guī)格320*RGB*480分辨率120 ppiOLED結(jié)構(gòu)底發(fā)射色域80%開(kāi)口率38%厚度80 um重量5g襯底材料PI突破的關(guān)鍵材料和技術(shù)：1、研制了氧化物半導(dǎo)體新材料體系（Ln-IZO）;2、突破了低溫制備高質(zhì)量薄膜關(guān)鍵工藝（200oC）；3

7、、突破了在PI基板的薄膜制備、圖形化工藝、封裝、芯片連接等集成工藝。(一）發(fā)展歷史（1）1997-2001年，OLED的試驗(yàn)階段在這個(gè)階段，OLED開(kāi)始走出實(shí)驗(yàn)室，主要應(yīng)用在汽車音響面板，PDA手機(jī)上但產(chǎn)量非常有限，產(chǎn)品規(guī)格也很少，均為無(wú)源驅(qū)動(dòng)，單色或區(qū)域彩色，很大程度上帶有試驗(yàn)和試銷性質(zhì)。2001年全球銷售額僅1.5億美元OLED的應(yīng)用大概可以分為三個(gè)階段：（2）20022005年： 成長(zhǎng)階段 這個(gè)階段人們將能廣泛接觸到帶有OLED的產(chǎn)品，包括車載顯示器，PDA、手機(jī)、DVD、數(shù)碼相機(jī)、頭盔用微顯示器和家電產(chǎn)品。產(chǎn)品正式走入市場(chǎng)，主要是進(jìn)入傳統(tǒng)LCD、VFD等顯示領(lǐng)域 仍以無(wú)源驅(qū)動(dòng)、單色或多

8、色顯示、10英寸以下面辦為主，但有源驅(qū)動(dòng)的、全彩色和10英寸以上面板也開(kāi)始投入使用。（3）2005年以后：OLED的成熟階段 隨著OLED產(chǎn)業(yè)化技術(shù)的日漸成熟，OLED將全面出擊顯示器市場(chǎng)并拓展屬于自己的應(yīng)用領(lǐng)域。其各項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)將得到充分發(fā)掘和發(fā)揮。 初步估計(jì)，除了傳統(tǒng)領(lǐng)域外，OLED的各項(xiàng)技術(shù)將在以下4個(gè)領(lǐng)域得到巨大發(fā)展： 1.3G通信終端 2.壁掛電視和桌面電腦顯示器 3.軍事和特殊應(yīng)用 4.柔性顯示器選擇有機(jī)材料的原因無(wú)機(jī)發(fā)光二極管不同發(fā)光層材料必須配合不同的外延技術(shù)，而有機(jī)分子加工性好，并可在任何基板上成膜；很多有機(jī)的色料都具有很高效率的發(fā)光性質(zhì)；分子結(jié)構(gòu)具有多樣性和可塑性，通過(guò)設(shè)計(jì)其

9、化學(xué)結(jié)構(gòu)，可以改變有機(jī)材料的光電性質(zhì)、熱特性、機(jī)械性質(zhì)等；缺點(diǎn)：絕緣性有機(jī)發(fā)光顯示的特點(diǎn)材料廣泛。有機(jī)材料種類繁多，材料的性能可以通過(guò)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化；能耗低。不需要背光，發(fā)光效率高；成本低。制作工序比LCD簡(jiǎn)單；厚度薄，重量輕。響應(yīng)速度快（微秒）；可實(shí)現(xiàn)柔性顯示。OLED產(chǎn)業(yè)化的瓶頸材料穩(wěn)定性和壽命問(wèn)題。OLED的壽命與有機(jī)發(fā)光材料本身有很大關(guān)系；驅(qū)動(dòng)技術(shù)問(wèn)題。OLED是電流驅(qū)動(dòng)型器件，對(duì)TFT器件的遷移率要求更高；成本問(wèn)題。成品率的問(wèn)題，導(dǎo)致成本較高；設(shè)備制造問(wèn)題。必須采用大尺寸玻璃基板，提高生產(chǎn)效率、降低成本。（二）原理及器件結(jié)構(gòu)1. 有機(jī)材料的半導(dǎo)體性質(zhì)分子軌道理論能態(tài)密度的高斯分布

10、有機(jī)分子中的電子不再屬于某個(gè)原子，而是在整個(gè)分子空間范圍內(nèi)運(yùn)動(dòng)，只受到分子中的原子核和其他電子平均電場(chǎng)的作用，運(yùn)動(dòng)的軌跡為一個(gè)分子軌道。分子軌道理論在分子中的任何電子可以看成在組成分子的所有原子核和其余電子所構(gòu)成的勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)；每一個(gè)描述單個(gè)電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的波函數(shù)就是一個(gè)分子軌道，是原子軌道的線性組合，且每個(gè)分子軌道對(duì)應(yīng)一個(gè)相應(yīng)的能量；分子軌道中的電子是離域化的自由電子，但只局限在該分子之內(nèi)；組成有機(jī)材料的多個(gè)分子構(gòu)成了多個(gè)能量相近的分子軌道，但彼此之間存在一定能量差。HOMO和LUMO能級(jí)最低未占有分子軌道最高占有分子軌道 在有機(jī)材料中，失去電子能力強(qiáng)的分子稱為給體（donor），得到電子能力強(qiáng)

11、的分子稱為受體（acceptor）。有機(jī)材料中給體失去一個(gè)電子后，HOMO軌道就空出來(lái)了，相當(dāng)于在HOMO軌道上產(chǎn)生一個(gè)空穴；受體得到一個(gè)電子后，分子的LUMO軌道上就填充了一個(gè)電子。有機(jī)材料的電子和空穴 有機(jī)半導(dǎo)體中并沒(méi)有延續(xù)的能帶，有機(jī)半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)都會(huì)有定域化的電子，這些電子比較自由，但也只被局限在分子內(nèi)，因此跳躍式理論常用來(lái)說(shuō)明電荷在有機(jī)分子間的傳遞，即在一電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下，電子在被激發(fā)或被注入的LUMO能級(jí)后，經(jīng)跳躍至另一個(gè)分子的LUMO能級(jí)。跳躍式傳輸有機(jī)材料和無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料的相同點(diǎn)有機(jī)材料和無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料的不相同點(diǎn)2. 有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光原理有機(jī)材料的光致發(fā)光吸收和發(fā)射 有機(jī)材料的吸

12、收和發(fā)射特性是由分子的軌道決定的，根據(jù)Pauli理論，每一個(gè)分子軌道最多只可填滿2個(gè)電子，而從最低能級(jí)開(kāi)始填完后可以得到一最低能量的電子組態(tài)，當(dāng)電子只填滿最高占有軌域(HOMO)時(shí)，此分子處于基態(tài)。激發(fā)態(tài)則是指電子激發(fā)到反鍵軌道的狀態(tài)。分子一般處于基態(tài)，當(dāng)激發(fā)光的震動(dòng)頻率與分子某一個(gè)能級(jí)差一致時(shí)，可使電子激發(fā)至較高能級(jí)。有機(jī)材料的電致發(fā)光OLED與LED發(fā)光原理的區(qū)別：LED是pn結(jié)或異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，OLED是單層或多層薄膜結(jié)構(gòu)；LED用能帶模型解釋發(fā)光，OLED用激子模型解釋發(fā)光；LED電注入的電子和空穴是自由載流子，直接復(fù)合發(fā)光。OLED電注入的電子和空穴形成激子，激子復(fù)合而發(fā)光。發(fā)光過(guò)程通常

13、由4個(gè)階段完成（）載流子注入：電子和空穴分別從陰極和陽(yáng)極向夾在電極之間的有機(jī)功能薄膜注入（）載流子傳輸：注入的電子和空穴分別從電子輸送層和空穴輸送層向發(fā)光層遷移（）激子的形成：電子和空穴復(fù)合產(chǎn)生激子（）激子復(fù)合發(fā)光：激子復(fù)合能量以光的形式釋放出去的過(guò)程。（1）載流子的注入注入限制電流體限制電流電極注入隧穿注入熱電子發(fā)射注入熱電子場(chǎng)發(fā)射注入（a）隧穿注入Fowler-Nordheim隧穿理論，載流子的注入與電場(chǎng)強(qiáng)度有關(guān)。（b）熱電子發(fā)射注入 當(dāng)加在金屬/半導(dǎo)體結(jié)上的電壓比較低，注入載流子書目較少時(shí)，注入電子不受空間電荷的限制。 在無(wú)外加電場(chǎng)時(shí)，飽和熱電子電流為： 在外電壓下，勢(shì)壘高度降低，此時(shí)熱

14、電子發(fā)射也成為電場(chǎng)增強(qiáng)熱電子發(fā)射：（c）熱電子場(chǎng)發(fā)射注入（2）載流子的輸運(yùn) 有機(jī)電致發(fā)光材料的電荷遷移率較低，使得電極注入的載流子數(shù)目超過(guò)了有機(jī)層的空間承載能導(dǎo)致電荷的局部堆積，從而阻止了載流子的進(jìn)一步注入。 空穴的注入是由空間電荷控制的，而電子的注入在低電場(chǎng)下時(shí)由陷阱控制的，當(dāng)陷阱被填滿后控制形式變?yōu)榭臻g電荷的限制。（3）載流子的復(fù)合和發(fā)光過(guò)程 在外加電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下，陰極注入的電子和陽(yáng)極注入的空穴相向跳躍傳輸并發(fā)生有效復(fù)合釋放能量，再將能量傳遞給有機(jī)熒光分子，使其受激發(fā)，形成激子。激子從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)時(shí)輻射躍遷將能量差以光子的形式釋放出來(lái)。 處于高激發(fā)態(tài)的分子，可以把能量傳給低能態(tài)的分子，此過(guò)

15、程稱為能量轉(zhuǎn)移。此機(jī)制在多成分摻雜系統(tǒng)是常常發(fā)生，含有較高能態(tài)的主發(fā)光體可以將能量轉(zhuǎn)移到客發(fā)光體。根據(jù)此原理，通過(guò)調(diào)節(jié)摻雜客體的亮，可以很方便的調(diào)節(jié)發(fā)光的顏色。（4）能量的傳遞和轉(zhuǎn)移（a）Frster能量轉(zhuǎn)移光子從一個(gè)處于激發(fā)態(tài)的分子（給體）發(fā)出，被另一個(gè)處于基態(tài)的分子（受體）吸收。（b）Dexter能量轉(zhuǎn)移 Dexter能量轉(zhuǎn)移不是靠偶極耦合的方式，而是以載流子直接交換的方式傳遞能量。 當(dāng)一個(gè)處于激發(fā)態(tài)的分子和另一個(gè)處于基態(tài)的分子離得很近，以至于電子云彼此交疊的時(shí)候，處于激發(fā)態(tài)的分子上的電子和空穴就能直接遷移到那個(gè)處于基態(tài)的鄰近分子上，在完成載流子遷移的同時(shí)完成能量轉(zhuǎn)移。3. 有機(jī)電致發(fā)光器

16、件的基本結(jié)構(gòu)OLED器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)需要考慮：載流子傳輸層與發(fā)光層之間的能帶匹配厚度匹配載流子注入平衡折射率匹配（1）單層器件具有傳輸單極性載流子的傾向（2）雙層器件 由具有電子傳輸（或空穴傳輸）的發(fā)光層以及空穴傳輸（或電子傳輸）層共同構(gòu)成。（3）三層和多層器件（4）摻雜層器件（5）超薄層器件（三）有機(jī)電致發(fā)光材料及薄膜制備用于電致發(fā)光的有機(jī)材料應(yīng)具備以下特性： A高量子效率的熒光特性，熒光光譜主要分布400-700nm可見(jiàn)光區(qū)域。B良好的半導(dǎo)體特性，即具有高的導(dǎo)電率，能傳導(dǎo)電子或空穴或兩者兼有。C好的成膜性，在幾十納米的薄層中不產(chǎn)生針孔。D良好的熱穩(wěn)定性及材料的光穩(wěn)定性。 根據(jù)材料不同OLED可

17、以分為兩大類： (1) 高分子聚合物，分子量10000-100000，通常是導(dǎo)電共軛聚合物或半導(dǎo)體共軛聚合物，可用旋涂方法成膜，制作簡(jiǎn)單，成本低，但其純度不易提高，在耐久性，亮度和顏色方面比小分子有機(jī)化合物差。 (2) 小分子有機(jī)化合物，分子量為500-2000，能用真空蒸鍍方法成膜。 a) 小分子發(fā)光材料 主要為有機(jī)染料，具有化學(xué)修飾性強(qiáng)，選擇范圍廣，易于提純，量子效率高，可產(chǎn)生紅、綠、藍(lán)、黃等各種顏色發(fā)射峰等優(yōu)點(diǎn)，但大多數(shù)有機(jī)染料在固態(tài)時(shí)存在濃度淬滅等問(wèn)題，導(dǎo)致發(fā)射峰變寬或紅移，所以一般將它們以低濃度方式摻雜在具有某種載流子性質(zhì)的主體中，主體材料通常與ETM和HTM層采用相同的材料。摻雜的

18、有機(jī)染料，應(yīng)滿足以下條件：a. 具有高的熒光量子效率b. 染料的吸收光譜與主體的發(fā)射光譜有好的重疊，即主體與染料能量適配，從主體到染料能有效地能量傳遞； c. 紅綠藍(lán)色的發(fā)射峰盡可能窄，以獲得好的色純；d. 穩(wěn)定性好，能蒸發(fā)。1. 有機(jī)小分子材料（1）有機(jī)小分子發(fā)光材料（1） 紅光材料主要有：羅丹明類染料，DCM，DCT，DCJT，DCJTB，DCJTI和TPBD等（2） 綠光材料主要有：香豆素染料Coumarin6(Kodak公司第一個(gè)采用)，奎丫啶酮（quinacridone, QA）（先鋒公司專利），六苯并苯(Coronene)，苯胺類(naphthalimide).（3） 藍(lán)光材料主要

19、有：N-芳香基苯并咪唑類；1，2，4-三唑衍生物（TAZ）（也是ETM材料）；1，3-4-噁二唑的衍生物OXD-（P-NMe2）（高亮度；1000cd/m2）;雙芪類(Distyrylarylene);BPVBi(亮度可達(dá)6000cd/m2)。 b) 配合物發(fā)光材料 金屬配合物介于有機(jī)與無(wú)機(jī)物之間，既有有機(jī)物的高熒光量子效率，又有無(wú)機(jī)物的高穩(wěn)定性，被視為最有應(yīng)用前景的一類發(fā)光材料。常用金屬離子有；Be2+ Zn2+ Al3+ Ca3+ In3+ Tb3+ Eu3+ Gd3+等主要配合物發(fā)光材料有：8-羥基喹啉類，10-羥基苯并喹啉類，Schiff堿類，-羥基苯并噻唑（噁唑）類和羥基黃酮類等 c

20、) 磷光發(fā)光材料 熒光材料，只能利用形成的單重態(tài)激子輻射發(fā)光，器件內(nèi)量子效率最高僅為25%；而磷光材料可以利用所有激子，器件的內(nèi)量子效率理論上可達(dá)到100%。 電子傳輸材料都是具有大共軛結(jié)構(gòu)的平面芳香族化合物，它們大多有較好的接受電子能力，同時(shí)在一定正向偏壓下又可以有效地傳遞電子。 目前已知的可用于OLED制造的電子傳輸材料主要有8-羥基喹啉鋁類配合物，噁二唑類化合物，其他含氮雜環(huán)化合物，有機(jī)硅材料，有機(jī)硼材料等。（2）有機(jī)小分子電子傳輸材料 空穴傳輸材料均具有很強(qiáng)的給電子能力，一般都含有帶孤對(duì)電子的氮原子，有利于形成正離子自由基充當(dāng)有機(jī)半導(dǎo)體的空穴，同時(shí)所有的孤對(duì)電子都可以與電子發(fā)生交換，有

21、利于空穴的遷移。（3）空穴傳輸材料 一般而言，空穴傳輸材料的空穴遷移率比電子傳輸材料的電子遷移率要高出一到兩個(gè)數(shù)量級(jí)，為了使電子和空穴在發(fā)光層復(fù)合形成激子并發(fā)光，常需要采用空穴阻擋層。（4）空穴阻擋材料 陽(yáng)極與空穴傳輸材料之間的勢(shì)壘較大，通過(guò)加入一層空穴注入層，可以降低勢(shì)壘，有利于增強(qiáng)界面的載流子注入。（5）空穴注入材料（6）電子注入緩沖材料 一般采用相對(duì)穩(wěn)定的Al作為陰極，但Al容易發(fā)生擴(kuò)散，影響器件性能。為了提高電子注入能力，常引入LiF，MgF2等材料來(lái)改善器件特性。 小分子材料作為輸運(yùn)層，容易出現(xiàn)結(jié)晶或與發(fā)光層物質(zhì)形成電荷轉(zhuǎn)移絡(luò)合物和激發(fā)態(tài)聚集導(dǎo)致性能下降，而聚合物則相對(duì)較穩(wěn)定。 與有

22、機(jī)小分子材料相對(duì)，高分子發(fā)光材料可避免晶體析出，還具有廣泛、可根據(jù)特定性能需要進(jìn)行分子設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)能帶調(diào)控，得到全色發(fā)光的優(yōu)點(diǎn)。2. 有機(jī)聚合物電致發(fā)光材料共軛聚合物含金屬配合物的聚合物摻雜的聚合物聚合物電子傳輸材料聚合物空穴傳輸材料其他功能聚合物材料3. 電極材料（1）陰極材料 為提高電子的注入效率，要求選用功函數(shù)盡可能低的材料做陰極，功函數(shù)越低，發(fā)光亮度越高，使用壽命越長(zhǎng)。A單層金屬陰極如Ag 、Al 、Li 、Mg 、Ca 、In等。B合金陰極將性質(zhì)活潑的低功函數(shù)金屬和化學(xué)性能較穩(wěn)定的高功函數(shù)金屬一起蒸發(fā)形成金屬陰極、如Mg: Ag（10: 1），Li:Al (0.6%Li) 合金電極，功

23、函數(shù)分別為3.7eV和3.2eV。優(yōu)點(diǎn)：提高器件量子效率和穩(wěn)定性；能在有機(jī)膜上形成穩(wěn)定堅(jiān)固的金屬薄膜。C層狀陰極 由一層極薄的絕緣材料和外面一層較厚的金屬Al組成的雙層陰極。D摻雜復(fù)合型陰極 將摻雜了低功函數(shù)金屬的有機(jī)層夾在陰極和有機(jī)發(fā)光層之間。（2）陽(yáng)極材料要求:良好的導(dǎo)電性;良好的化學(xué)及形態(tài)穩(wěn)定性;功函數(shù)需與空穴注入材料(HOMO)能級(jí)相匹配;當(dāng)用作下發(fā)光或透明器件的陽(yáng)極時(shí),在可見(jiàn)光區(qū)透明度高;導(dǎo)電氧化物(ITO,ZnO,AZO等)金屬種類:（四）OLED器件的制備工藝器件的發(fā)光效率和穩(wěn)定性、器件的成品率乃至器件的成本等都要受到工藝技術(shù)的控制，有機(jī)發(fā)光二極管工藝技術(shù)的發(fā)展對(duì)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程尤為重

24、要制備工藝可分為小分子有機(jī)發(fā)光二極管OLED工藝技術(shù)，和聚合物發(fā)光二極管PLED工藝技術(shù)兩大類小分子通常用蒸鍍方法或干法制備，一般用溶液方法或濕法制備1. 小分子OLED器件制備工藝（1）玻璃基板制備工藝 在玻璃基板上制備陽(yáng)極材料，常用的材料為ITO薄膜?？刹捎脼R射的方式獲得。（2）有機(jī)功能層與金屬陰極制備工藝 小分子材料一般采用真空熱蒸鍍的方式成膜。加熱方式：電阻加熱蒸發(fā)、電子轟擊加熱、外熱式坩堝加熱、輻射加熱和高頻感應(yīng)加熱蒸鍍法制備小分子OLED器件（3）器件的封裝工藝 OLED封裝對(duì)提高器件抗震性、耐沖擊性提供了保障，同時(shí)也是防止器件有機(jī)材料老化采取的有效措施之一。 一般采用預(yù)封裝，然后

25、再真空手套箱中采用環(huán)氧樹(shù)脂將顯示屏與玻璃地板封裝。旋涂法2. PLED器件制備工藝噴墨打印法旋涂法影響旋涂薄膜質(zhì)量的因素：好的基片聚合物容易濃度不能太大溫度與轉(zhuǎn)速溶劑的揮發(fā)速度適中工藝簡(jiǎn)單、對(duì)材料的利用率低噴墨打印法噴墨打印成膜的過(guò)程：噴射飛行碰撞鋪展成膜對(duì)材料的利用率高、對(duì)設(shè)備的精度要求高（五）OLED驅(qū)動(dòng)技術(shù)OLED的驅(qū)動(dòng)具有如下特點(diǎn)： 低壓驅(qū)動(dòng)，030V之間； OLED像素可等效為一個(gè)發(fā)光二極管和電容并聯(lián)； 發(fā)光亮度與注入電流成正比； 無(wú)源OLED器件，都采用共陰極結(jié)構(gòu) 低成本的無(wú)源OLED顯示屏，一般采用逐行尋址驅(qū)動(dòng)技術(shù)1. PMOLED驅(qū)動(dòng)技術(shù) 要實(shí)現(xiàn)高分辨、小尺寸的全色顯示屏，使用

26、無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)存在很多難點(diǎn)：2. AMOLED驅(qū)動(dòng)技術(shù)無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)，脈沖施加在每個(gè)像素上。隨著行數(shù)目的增加，需要注入脈沖電流峰值也隨之增加，導(dǎo)致效率降低。無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)中，行、列電極的電阻會(huì)消耗較大功率，影響光效。 AMOLED，就是在每個(gè)像素上接一個(gè)電子開(kāi)關(guān)。其目的就是在整個(gè)幀周期中，利用TFT為每個(gè)像素提供一個(gè)程控恒流源。（1）非晶硅TFT技術(shù)遇到困難：電子遷移率低；非晶硅技術(shù)不能制造出合適的p溝道TFT；非晶硅存在過(guò)高的光敏感性問(wèn)題。優(yōu)點(diǎn)：工藝成熟度高（2）LTPs TFT技術(shù)速度快；產(chǎn)品輕?。怀杀镜?；分辨率高；可靠性高；優(yōu)點(diǎn)：均勻性不高、大面積制備工藝難度大缺點(diǎn)：（3）IGZO-TFT技術(shù)

27、速度較快；成本低；分辨率高；可靠性高；均勻性好大面積制備簡(jiǎn)單優(yōu)點(diǎn)：穩(wěn)定性有待提高缺點(diǎn)：（六）新型OLED顯示技術(shù)1.柔性O(shè)LED發(fā)光器件 OLED作為全固態(tài)的器件與其他平板顯示技術(shù)相比，其最大的優(yōu)勢(shì)在于能夠?qū)崿F(xiàn)柔性顯示（FOLED），而且FOLED具有其他平板顯示器件不可比擬的性能。 （1）柔性：可以制作在許多種類的襯底上； （2）重量輕； （3）耐用性好； （4）低生產(chǎn)成本。采用卷筒式流水線生產(chǎn)。DiagramCRTLCDOLED柔性O(shè)LED1960年第一臺(tái)彩色電視機(jī)。1991年第一條TFT-LCD生產(chǎn)線。2009年OLED開(kāi)始用于手機(jī)和電視。2018年（預(yù)計(jì)）量產(chǎn)柔性O(shè)LED顯示器。大尺寸

28、高分辨超輕薄柔性目前的柔性襯底有聚合物襯底、金屬薄片和超薄玻璃。需要柔性基底對(duì)水汽和氧氣的阻隔性能、導(dǎo)電陽(yáng)極的平整度與導(dǎo)電率、陽(yáng)極的圖案化制作、器件的效率和顏色、封裝效果、壽命與應(yīng)力等因素。聚合物基板優(yōu)點(diǎn)：質(zhì)量小、壽命長(zhǎng)成本低缺點(diǎn)：不能耐高溫；阻水汽、氧氣性能差，需要在聚合物襯底表面鍍阻擋層金屬基板優(yōu)點(diǎn)：耐溫性，較低的膨脹系數(shù)、阻水汽、氧氣性能好，成本低缺點(diǎn)：表面粗糙度大，難以在襯底上制作TFT器件玻璃基板優(yōu)點(diǎn)：耐溫性，阻水汽、氧氣性能好，缺點(diǎn)：超薄玻璃韌性差、易脆3月，國(guó)內(nèi)第一個(gè)金屬氧化物TFT技術(shù)的AMOLED屏成功點(diǎn)亮8月，新視界公司成立1999，曹鏞院士創(chuàng)立“光電所”，開(kāi)始OLED研究

29、19992009201020112012201320145月，國(guó)內(nèi)第一個(gè)氧化物TFT驅(qū)動(dòng)的透明AMOLED點(diǎn)亮7月，發(fā)布國(guó)內(nèi)第一個(gè)彩色柔性AMOLED屏（PEN襯底）柔性AMOLED顯示技術(shù)積累6月，發(fā)布柔性AMOLED屏（PI襯底）2004，開(kāi)發(fā)出國(guó)內(nèi)第一個(gè)印刷OLED顯示屏2009，獲國(guó)家科技部和廣東省支持，建設(shè)廣東省OLED產(chǎn)學(xué)研合作平臺(tái)11月，團(tuán)隊(duì)OLED技術(shù)獲得國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)12月，新視界公司OLED中試線建成并投入運(yùn)行10月，國(guó)內(nèi)第一個(gè)金屬氧化物TFT的彩色AMOLED顯示屏成功點(diǎn)亮7月，新視界獲得高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)證12月，300ppi高分辨率AMOLED顯示屏研制成功12月，發(fā)布用于可穿戴設(shè)備的小尺寸超薄、柔性AMOLED屏2015年，推進(jìn)自主技術(shù)的大規(guī)模量產(chǎn)工作11月，200ppi的AMOLED顯示屏研制成功Size5 inchTFT TypeOxide