標準解讀

《GB/T 11094-1989 水平法砷化鎵單晶及切割片》是一項中國國家標準，發(fā)布于1989年，旨在規(guī)定水平生長法制備的砷化鎵（GaAs）單晶及其切割片的質量要求、測試方法和檢驗規(guī)則。以下是該標準的主要內容概述：

  1. 范圍：本標準適用于采用水平法生長技術制備的砷化鎵單晶及其切割片，明確了這些材料的適用范圍和基本要求。

  2. 術語和定義：標準首先界定了相關專業(yè)術語，確保讀者對砷化鎵單晶及切割片的基本概念有清晰理解。

  3. 分類和標記：規(guī)定了砷化鎵單晶及切割片的分類方法，包括按純度、尺寸、用途等進行區(qū)分，并要求產(chǎn)品應有明確的標識信息，以便于追溯和使用。

  4. 技術要求：

    • 化學成分：詳細說明了砷化鎵單晶中主元素及雜質元素的最大允許含量，確保材料的電學和光學性能。
    • 物理性質：包括晶體結構、電阻率、載流子濃度、晶向、直徑、厚度等參數(shù)的規(guī)范要求。
    • 表面質量與缺陷：規(guī)定了單晶表面應達到的光潔度標準，以及內部缺陷如位錯、夾雜物的允許程度。

  5. 試驗方法：詳細描述了如何通過各種檢測手段（如X射線衍射、掃描電子顯微鏡、霍爾效應測量等）來測定砷化鎵單晶及切割片的上述各項技術指標，確保測試結果的準確性和可重復性。

  6. 檢驗規(guī)則：制定了產(chǎn)品出廠前的檢驗流程、抽樣方案及合格判定準則，確保每批產(chǎn)品的質量符合標準要求。

  7. 標志、包裝、運輸和儲存：規(guī)定了砷化鎵單晶及切割片的包裝方式、標志內容、運輸注意事項及適宜的儲存條件，以防止在流轉過程中受到損害。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 11094-2007
  • 1989-03-31 頒布
  • 1990-03-01 實施
?正版授權
GB/T 11094-1989水平法砷化鎵單晶及切割片_第1頁
GB/T 11094-1989水平法砷化鎵單晶及切割片_第2頁
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DS.661.868.146-415H81中華人民共和國國家標準GB11094—89水平法砷化單晶及切割片Boat-growngalliumarsenidesingleCrystalsandAs-cutslices1989-03-31發(fā)布1990-03-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準水平法神化家單晶及切割片GB11094-89Boat-growngaliumarsenidesinglecrystalandAs-cutslicea1主題內客與適用范圍本標準規(guī)定了水平法神化家單品及切割片的產(chǎn)品分類、技術要求、試驗方法和檢驗規(guī)則等。本標準適用于水平法制備的砷化鏢單晶及其切割片。產(chǎn)品供制作光電器件、徽波器件和傳感元件等元器件用。2引用標準GB4326非本征半導體單品蛋爾遷移率和蛋爾系數(shù)測量方法GB8759化合物半導體單晶晶向×射線衍射測量方法GB8760神化驚單品位錯密度測量方法3產(chǎn)品分類3.1導電類型產(chǎn)品按導電類型分為N型和P型，按電阻率分為低阻導電型和高阻半絕緣型。以摻雜劑、載流子濃度和遷移率分類，按位錯密度分級。3.2牌號單品及切割片的牌號分別表示為：HBMORAS--口阿拉伯數(shù)字與羅馬數(shù)字組合表示產(chǎn)品等級與等次化學元素符號表示摻雜劑。有兩種摻雜劑時，元素符號之間用“十”連接水平法神化緣單品中國有色會具

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