存儲器的分類和主要性能指標(biāo)(微機(jī)原理)教學(xué)課件

第章半導(dǎo)體存儲器及接口作用:保存正在執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù);掩膜型ROM主存儲器可一次編程PROM(內(nèi)存)ROM紫外線擦除的EPROM電可擦除的EEPROM微型計算機(jī)元件快擦型Flashmem的存儲器由靜態(tài)RAMRAM動態(tài)RAM作用:保存主存的副本或暫時不執(zhí)行的輔助存儲器程序和數(shù)據(jù)(外存)軟/硬磁盤介質(zhì):光盤磁帶等西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院存儲器的分類和主要性能指標(biāo)(微機(jī)原理)【精品PPT】第章半導(dǎo)體存儲器及接口作用:保存正在執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù);掩膜型ROM主存儲器可一次編程PROM(內(nèi)存)ROM紫外線擦除的EPROM電可擦除的EEPROM微型計算機(jī)元件快擦型Flashmem的存儲器由靜態(tài)RAMRAM動態(tài)RAM作用:保存主存的副本或暫時不執(zhí)行的輔助存儲器程序和數(shù)據(jù)(外存)軟/硬磁盤介質(zhì):光盤磁帶等西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院第章半導(dǎo)體存儲器及接口2按存儲介質(zhì)劃分磁芯存儲器半導(dǎo)體存儲器磁泡存儲器磁表面存儲器●激光存儲器等本章主要講授半導(dǎo)體存儲器。在微型計算機(jī)中,半導(dǎo)體存儲器主要作為內(nèi)存儲器使用。西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院2第章半導(dǎo)體存儲器及接口半導(dǎo)體存儲器的分類按工作方式分按制造工藝分按存儲機(jī)理分雙極型RAM隨機(jī)存取存儲器靜態(tài)讀寫存儲器(RAM(RAM金屬氧化物型(MERAM動態(tài)讀寫存儲器(DRAROM只讀存儲器EPROM(ROMEPROM閃速BRRM(FASH西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院第章半導(dǎo)體存儲器及接口2按存儲介質(zhì)劃分磁芯存儲器半導(dǎo)體存儲器磁泡存儲器磁表面存儲器●激光存儲器等本章主要講授半導(dǎo)體存儲器。在微型計算機(jī)中,半導(dǎo)體存儲器主要作為內(nèi)存儲器使用。西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院2第章半導(dǎo)體存儲器及接口半導(dǎo)體存儲器的分類按工作方式分按制造工藝分按存儲機(jī)理分雙極型RAM隨機(jī)存取存儲器靜態(tài)讀寫存儲器(RAM(RAM金屬氧化物型(MERAM動態(tài)讀寫存儲器(DRAROM只讀存儲器EPROM(ROMEPROM閃速BRRM(FASH西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院第章半導(dǎo)體存儲器及接口2內(nèi)存儲器的主要性能指標(biāo)(1)內(nèi)存儲容量表示一個計算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)存儲器存儲數(shù)據(jù)多少的指標(biāo)。存儲容量=字?jǐn)?shù)×字長注意①以字節(jié)為單位。②內(nèi)存容量與內(nèi)存空間的區(qū)別內(nèi)存容量:若某微機(jī)配置凍128⑩SR吶存條則其內(nèi)存容量為256V8內(nèi)存空間:又稱為存儲空間、尋址范圍,是指微機(jī)的尋址能力,與QF被使用的地址總線寬度有關(guān)。西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院第章半導(dǎo)體存儲器及接口③芯片容量是指一片存儲器芯片所具有的存儲容量。例如蟲A片626的容量為8K8bit,即它有&個單元,每個單元存儲粒(一個字節(jié))二進(jìn)制數(shù)據(jù)。IR片MM4125的容量為256K1bit即它有256個單元,每個單元存儲垃二進(jìn)制數(shù)據(jù)。(2)最大存取時間內(nèi)存儲器從接收尋找存儲單元的地址碼開始到它取出或存入數(shù)碼為止所需要的最長時間西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院第章半導(dǎo)體存儲器及接口(5)集成度每片存儲器芯片上集成的基本存儲單元的個數(shù)。常用存儲器芯片有:1K位/片,如:Intel21l5A(1K×1);16K位/片,如:MCM2167H35L(16K×1);64K位片,如:MCM62L67-3L64K×1);256K位片,如:MCM6205NJ17(32K×8);西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院第章半導(dǎo)體存儲器及接口§6.2半導(dǎo)體存儲器件1.只讀存儲器(ROM)ROM具有掉電后信息不會丟失的特點,一般用于存放固定的程序和數(shù)據(jù)等。如監(jiān)控程序、BIOS程序、字庫等。(1)ROM的結(jié)構(gòu)和特點AD存儲矩陣存貯器控制邏輯C西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院第章半導(dǎo)體存儲器及接口(2)R的分類按生產(chǎn)工藝和工作特性分為①掩膜編程的RM(MaskProgrammedROM例如:采用“并聯(lián)獸元陣列B,的掩膜ROMB薄柵氧化層的管子為正常開啟厚柵氧化層的F。W管子為高開啟V3西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院第嫜章半導(dǎo)體存儲器及接口②可編程只讀存儲器(ProgrammableROM有“熔斷絲型”和“結(jié)擊穿型”兩種。用戶可以對其一次