計(jì)算機(jī)組裝及維護(hù)標(biāo)準(zhǔn)教程_第5章 數(shù)據(jù)處理-內(nèi)存

1、1第第5 5章章 數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)處理 內(nèi)內(nèi) 存存內(nèi)存簡(jiǎn)介內(nèi)存簡(jiǎn)介l存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱主存和輔存。主儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱主存和輔存。主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器（內(nèi)存）。存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器（內(nèi)存）。l內(nèi)存儲(chǔ)器的主要硬件為內(nèi)存條。內(nèi)存儲(chǔ)器的主要硬件為內(nèi)存條。SPD（模組存在串行檢測(cè)）（模組存在串行檢測(cè)）是內(nèi)存條正面右側(cè)的一塊是內(nèi)存條正面右側(cè)的一塊8管腳小芯片，里面保存著管腳小芯片，里面保存著內(nèi)存條的速度、工作頻率、內(nèi)存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、容量、工作電壓、CAS、tRCD、SPD版本等信息。版本等信息。內(nèi)存分類內(nèi)存分

2、類內(nèi)存，由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等內(nèi)存，由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成，是部分組成，是CPU能直接尋址的存儲(chǔ)空能直接尋址的存儲(chǔ)空間，具有存取速率快的特點(diǎn)。內(nèi)存一般間，具有存取速率快的特點(diǎn)。內(nèi)存一般采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元，包括采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元，包括：隨機(jī)存儲(chǔ)器（隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）靜態(tài)靜態(tài)SRAM：高速緩存：高速緩存動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)DRAM：內(nèi)存條：內(nèi)存條只讀存儲(chǔ)器（只讀存儲(chǔ)器（ROM）以及高速緩存（以及高速緩存（Cache）內(nèi)存的發(fā)展內(nèi)存的發(fā)展-RAM的分類的分類lSRAM（Static RAM,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）：所謂：所謂“靜態(tài)靜態(tài)”，是指只要保持通電，是指只要保持通電，SRA

3、M里面存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就可以恒久保持。里面存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就可以恒久保持。主要應(yīng)用于主要應(yīng)用于CPU的的Cache。lDRAM（Dynamic RAM,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）：里面存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)需要周期性的刷新才）：里面存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)需要周期性的刷新才能保持。主要應(yīng)用于內(nèi)存。能保持。主要應(yīng)用于內(nèi)存。SDRAM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器l動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM有很多種類，如有很多種類，如FPM DRAM、EDO DRAM 、RDRAM、VRAM 、SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory,）等，而計(jì)等，而計(jì)算機(jī)中使用最多的是算機(jī)中使用最多的是SDRAM。l

4、SDRAM已經(jīng)從已經(jīng)從 SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM )、 DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 、 DDR2 SDRAM 發(fā)展到發(fā)展到 DDR3 SDRAM。DDR時(shí)代時(shí)代lDDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM）簡(jiǎn)稱）簡(jiǎn)稱DDR，也就是，也就是“雙倍速率雙倍速率SDRAM”的意思。的意思。DDR可可以說(shuō)是以說(shuō)是SDRAM的升級(jí)版本，的升級(jí)版本，DDR在時(shí)鐘信號(hào)上升沿在時(shí)鐘信號(hào)上升沿與下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，這使得與下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速的數(shù)據(jù)傳輸速度為傳統(tǒng)度為傳統(tǒng)SDRAM的兩

5、倍。的兩倍。 l早期早期DDR常見(jiàn)的的時(shí)鐘頻率為常見(jiàn)的的時(shí)鐘頻率為DDR266 、DDR333 、DDR400 ，單位為，單位為MHz。DDR2時(shí)代時(shí)代lDDR2 能夠在能夠在100MHz 的發(fā)信頻率基礎(chǔ)上提供的發(fā)信頻率基礎(chǔ)上提供每插腳最少每插腳最少400MB/s 的帶寬，而且其接口將的帶寬，而且其接口將運(yùn)行于運(yùn)行于1.8V 電壓上，從而進(jìn)一步降低發(fā)熱量電壓上，從而進(jìn)一步降低發(fā)熱量，以便提高頻率。針對(duì)，以便提高頻率。針對(duì)PC等市場(chǎng)的等市場(chǎng)的DDR2內(nèi)存內(nèi)存擁有擁有400、533、667MHz等不同的時(shí)鐘頻率。等不同的時(shí)鐘頻率。高端的高端的DDR2內(nèi)存將擁有內(nèi)存將擁有800、1000MHz兩種兩

6、種頻率。頻率。 DDR3時(shí)代時(shí)代lDDR3相比起相比起DDR2有更低的工作電壓，從有更低的工作電壓，從DDR2的的1.8V降落到降落到1.5V，性能更好更為省電，性能更好更為省電；DDR2的的4bit預(yù)讀升級(jí)為預(yù)讀升級(jí)為8bit預(yù)讀。運(yùn)行頻預(yù)讀。運(yùn)行頻率為率為1066,1333,1600MHz, DDR3目前最高能目前最高能夠達(dá)到夠達(dá)到2000MHz以上的速度以上的速度 。SDR SDRAM與與DDR SDRAM主板上的內(nèi)存插槽主板上的內(nèi)存插槽DDR4時(shí)代時(shí)代lDDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年年1月月4日日，三星電子完成史上第一條，三星電子完成史上第一條DDR

7、4內(nèi)存。內(nèi)存。lDDR4相比相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn)：最大的區(qū)別有三點(diǎn)：16bit預(yù)取預(yù)取機(jī)制（機(jī)制（DDR3為為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升；工作電壓降為性進(jìn)一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。，更節(jié)能。lDDR4的頻率提升至的頻率提升至2133MHz，根據(jù)規(guī)劃，隨后，根據(jù)規(guī)劃，隨后將進(jìn)一步將電壓降至將進(jìn)一步將電壓降至1.0V，頻率則實(shí)現(xiàn)，頻率則實(shí)現(xiàn)2667MHz，最高可達(dá)，最高可達(dá)4266MHz 。DDR4內(nèi)存與內(nèi)存與DDR3區(qū)別區(qū)別 lDDR3內(nèi)存自從內(nèi)存自

8、從2007年服役以來(lái)，至今已經(jīng)年服役以來(lái)，至今已經(jīng)走過(guò)了走過(guò)了8個(gè)年頭。相比個(gè)年頭。相比Intel的更新?lián)Q代步伐的更新?lián)Q代步伐來(lái)說(shuō)，內(nèi)存發(fā)展可謂相當(dāng)緩慢。不過(guò)好在來(lái)說(shuō)，內(nèi)存發(fā)展可謂相當(dāng)緩慢。不過(guò)好在2014年底，各大廠商紛紛上架年底，各大廠商紛紛上架DDR4內(nèi)存產(chǎn)內(nèi)存產(chǎn)品，起跳頻率達(dá)到品，起跳頻率達(dá)到2133MHz，標(biāo)志著，標(biāo)志著DDR4時(shí)代的開(kāi)始時(shí)代的開(kāi)始。l隨著隨著Intel 新一代新一代Skylake（2015年）架構(gòu)年）架構(gòu)處理器及處理器及100系列芯片主板的普及，系列芯片主板的普及，DDR4內(nèi)存真正邁向普及之路。內(nèi)存真正邁向普及之路。 DDR4內(nèi)存與內(nèi)存與DDR3區(qū)別區(qū)別l(1)DD

9、R4內(nèi)存內(nèi)存2133MHz頻率起步頻率起步 內(nèi)存最重要的性能指標(biāo)：頻率。內(nèi)存的頻內(nèi)存最重要的性能指標(biāo)：頻率。內(nèi)存的頻率高低一定程度上決定了內(nèi)存速度。在率高低一定程度上決定了內(nèi)存速度。在DDR3時(shí)代，時(shí)代，2133MHz已經(jīng)算是高頻率，再往上很已經(jīng)算是高頻率，再往上很難有所突破，難有所突破，2400MHz、2800MHz已經(jīng)是極已經(jīng)是極限限;而而DDR4內(nèi)存直接內(nèi)存直接2133MHz起步，起步，2400MHz也就是入門級(jí)頻率，最高可達(dá)到也就是入門級(jí)頻率，最高可達(dá)到4266MHz，超頻之后，超頻之后，DDR4內(nèi)存頻率可以達(dá)內(nèi)存頻率可以達(dá)到更高值。到更高值。 DDR4內(nèi)存與內(nèi)存與DDR3區(qū)別區(qū)別l(

10、2)DDR4內(nèi)存容量更大，功耗更低內(nèi)存容量更大，功耗更低 在容量方面，同一單位的在容量方面，同一單位的DDR4內(nèi)存擁有內(nèi)存擁有比比DDR3多一倍的存儲(chǔ)空間，同時(shí)多一倍的存儲(chǔ)空間，同時(shí)DDR4能夠能夠搭載最多搭載最多8個(gè)模塊，也比個(gè)模塊，也比DDR3多一倍。這樣多一倍。這樣算下來(lái)，同樣的空間下算下來(lái)，同樣的空間下DDR4內(nèi)存最大容量比內(nèi)存最大容量比DDR3多多4倍。倍。DDR3所需的標(biāo)準(zhǔn)電源供應(yīng)是所需的標(biāo)準(zhǔn)電源供應(yīng)是1.5V，而，而DDR4降至降至1.35V/1.2V，移動(dòng)設(shè)備設(shè)，移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)的低功耗計(jì)的低功耗DDR4更降至更降至1.1V 。 DDR4內(nèi)存與內(nèi)存與DDR3區(qū)別區(qū)別l(3)DDR4

11、內(nèi)存金手指變彎了內(nèi)存金手指變彎了 考慮到平直的內(nèi)存金手指拔插不方便的考慮到平直的內(nèi)存金手指拔插不方便的問(wèn)題，問(wèn)題，DDR4將內(nèi)存金手指改成中間稍突出、將內(nèi)存金手指改成中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在中央的高點(diǎn)和兩端的低邊緣收矮的形狀。在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過(guò)渡。點(diǎn)以平滑曲線過(guò)渡。 DDR4內(nèi)存與內(nèi)存與DDR3區(qū)別區(qū)別5.1.3 內(nèi)存封裝工藝內(nèi)存封裝工藝 對(duì)于內(nèi)存來(lái)說(shuō)，對(duì)于內(nèi)存來(lái)說(shuō)，內(nèi)存顆粒內(nèi)存顆粒的封裝工藝也在一定程的封裝工藝也在一定程度上影響著內(nèi)存的性能。因?yàn)?，不同封裝技術(shù)在制度上影響著內(nèi)存的性能。因?yàn)?，不同封裝技術(shù)在制造工序和工藝方面的差異很大，對(duì)內(nèi)存芯片自身性造工序和工藝方面的

12、差異很大，對(duì)內(nèi)存芯片自身性能的發(fā)揮，也起著至關(guān)重要的作用。目前，內(nèi)存顆能的發(fā)揮，也起著至關(guān)重要的作用。目前，內(nèi)存顆粒所采用的封裝工藝主要包括粒所采用的封裝工藝主要包括:DIP封裝封裝（雙列直插式封裝（雙列直插式封裝 ）TSOP封裝封裝（薄型小尺寸封裝）（薄型小尺寸封裝）BGA封裝封裝（球柵陣列封裝）（球柵陣列封裝）CSP封裝封裝（芯片級(jí)封裝）（芯片級(jí)封裝）l上個(gè)世紀(jì)的上個(gè)世紀(jì)的70年代，芯片封裝基本都采用年代，芯片封裝基本都采用DIP（Dual ln-line Package，雙列直插式封裝雙列直插式封裝）封裝，此封裝形式在當(dāng)時(shí)具有適合）封裝，此封裝形式在當(dāng)時(shí)具有適合PCB（印刷電路（印刷電路

13、板）穿孔安裝，布線和操作較為方便等特點(diǎn)。板）穿孔安裝，布線和操作較為方便等特點(diǎn)。lDIP封裝形式封裝效率是很低的，其芯片面積和封裝面積之比為封裝形式封裝效率是很低的，其芯片面積和封裝面積之比為1：1.86，這樣封裝產(chǎn)品的面積較大，內(nèi)存條，這樣封裝產(chǎn)品的面積較大，內(nèi)存條PCB板的面積是固定的，封裝面積板的面積是固定的，封裝面積越大在內(nèi)存上安裝芯片的數(shù)量就越少，內(nèi)存條容量也就越小。同時(shí)較大越大在內(nèi)存上安裝芯片的數(shù)量就越少，內(nèi)存條容量也就越小。同時(shí)較大的封裝面積對(duì)內(nèi)存頻率、傳輸速率、電器性能的提升都有影響。的封裝面積對(duì)內(nèi)存頻率、傳輸速率、電器性能的提升都有影響。l理想狀態(tài)下芯片面積和封裝面積之比為理

14、想狀態(tài)下芯片面積和封裝面積之比為1：1將是最好的將是最好的，但這是無(wú)法實(shí)，但這是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的，除非不進(jìn)行封裝，但隨著封裝技術(shù)的發(fā)展，這個(gè)比值日益接近現(xiàn)的，除非不進(jìn)行封裝，但隨著封裝技術(shù)的發(fā)展，這個(gè)比值日益接近。 DIP封裝封裝到了上個(gè)世紀(jì)到了上個(gè)世紀(jì)80年代，內(nèi)存第二代的封裝技術(shù)年代，內(nèi)存第二代的封裝技術(shù)TSOP出現(xiàn)，出現(xiàn)， TSOP是是“Thin Small Outline Package”的縮寫，意思是的縮寫，意思是薄型小尺寸封裝薄型小尺寸封裝。TSOP內(nèi)存是在芯片的周圍做出內(nèi)存是在芯片的周圍做出引腳引腳，采用，采用SMT技術(shù)（表面安裝技術(shù)技術(shù)（表面安裝技術(shù)）直接附著在）直接附著在PCB板的

15、表面。板的表面。TSOP封裝外形尺寸時(shí)，寄生參數(shù)封裝外形尺寸時(shí)，寄生參數(shù)(電流大幅度變化時(shí)，引起輸出電壓電流大幅度變化時(shí)，引起輸出電壓擾動(dòng)擾動(dòng)) 減小，適合高頻應(yīng)用，操作比較方便，可靠性也比較高。同時(shí)減小，適合高頻應(yīng)用，操作比較方便，可靠性也比較高。同時(shí)TSOP封裝具有成品率高，價(jià)格便宜等優(yōu)點(diǎn)，因此得到了極為廣泛的封裝具有成品率高，價(jià)格便宜等優(yōu)點(diǎn)，因此得到了極為廣泛的應(yīng)用，應(yīng)用，時(shí)至今日仍有很多內(nèi)存顆粒采用時(shí)至今日仍有很多內(nèi)存顆粒采用TOSP封裝工藝進(jìn)行生產(chǎn)。封裝工藝進(jìn)行生產(chǎn)。TSOP封裝方式中，內(nèi)存芯片是通過(guò)芯片引腳焊接在封裝方式中，內(nèi)存芯片是通過(guò)芯片引腳焊接在PCB板上的，焊板上的，焊點(diǎn)和

16、點(diǎn)和PCB板的接觸面積較小，使得芯片向板的接觸面積較小，使得芯片向PCB板傳熱就相對(duì)困難。板傳熱就相對(duì)困難。而且而且TSOP封裝方式的內(nèi)存在超過(guò)封裝方式的內(nèi)存在超過(guò)150MHz后，會(huì)產(chǎn)品較大的信號(hào)干后，會(huì)產(chǎn)品較大的信號(hào)干擾和電磁干擾，從而影響內(nèi)存的正常工作。擾和電磁干擾，從而影響內(nèi)存的正常工作。TSOP封裝封裝l20世紀(jì)世紀(jì)90年代隨著技術(shù)的進(jìn)步，芯片集成度不斷提高，年代隨著技術(shù)的進(jìn)步，芯片集成度不斷提高，I/O引腳數(shù)急引腳數(shù)急劇增加，功耗也隨之增大，對(duì)集成電路封裝的要求也更加嚴(yán)格。為了劇增加，功耗也隨之增大，對(duì)集成電路封裝的要求也更加嚴(yán)格。為了滿足發(fā)展的需要，滿足發(fā)展的需要，BGA封裝開(kāi)始被

17、應(yīng)用于生產(chǎn)。封裝開(kāi)始被應(yīng)用于生產(chǎn)。BGA是英文是英文Ball Grid Array Package的縮寫，即的縮寫，即球柵陣列封裝球柵陣列封裝。l采用采用BGA技術(shù)封裝的內(nèi)存，可以使內(nèi)存在體積不變的情況下內(nèi)存容量技術(shù)封裝的內(nèi)存，可以使內(nèi)存在體積不變的情況下內(nèi)存容量提高兩到三倍，提高兩到三倍，BGA與與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。能和電性能。BGA封裝成為目前主流的內(nèi)存芯片封裝技術(shù)封裝成為目前主流的內(nèi)存芯片封裝技術(shù)。BGA封裝封裝lCSP（Chip Scale Package），是芯片級(jí)封裝的意思。），是芯片級(jí)封裝的意思。CSP封裝最封

18、裝最新一代的內(nèi)存芯片封裝技術(shù)，其技術(shù)性能又有了新的提升。新一代的內(nèi)存芯片封裝技術(shù)，其技術(shù)性能又有了新的提升。CSP封裝封裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過(guò)可以讓芯片面積與封裝面積之比超過(guò)1:1.14，已經(jīng)相當(dāng)接近，已經(jīng)相當(dāng)接近1:1的理的理想想情況，絕對(duì)尺寸也僅有情況，絕對(duì)尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的平方毫米，約為普通的BGA的的1/3，僅僅，僅僅相當(dāng)于相當(dāng)于TSOP內(nèi)存芯片面積的內(nèi)存芯片面積的1/6。與。與BGA封裝相比，同等空間下封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲(chǔ)容量提高三倍。封裝可以將存儲(chǔ)容量提高三倍。lCSP封裝內(nèi)存不但體積小，同時(shí)也更薄，其金屬基板到散熱體的最有封裝內(nèi)存不

19、但體積小，同時(shí)也更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有效散熱路徑僅有0.2毫米，大大提高了內(nèi)存芯片在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后的可毫米，大大提高了內(nèi)存芯片在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后的可靠性，線路阻抗顯著減小，芯片速度也隨之得到大幅度提高?？啃?，線路阻抗顯著減小，芯片速度也隨之得到大幅度提高。CSP封裝封裝5.2 內(nèi)存的性能指標(biāo)內(nèi)存的性能指標(biāo)l 內(nèi)存對(duì)計(jì)算機(jī)的整體性能影響很大內(nèi)存對(duì)計(jì)算機(jī)的整體性能影響很大，計(jì)算機(jī)在執(zhí)行很多任務(wù)時(shí)的效率都會(huì)，計(jì)算機(jī)在執(zhí)行很多任務(wù)時(shí)的效率都會(huì)受到內(nèi)存性能的影響。為了更加深入地受到內(nèi)存性能的影響。為了更加深入地了解內(nèi)存的各種特性，必須全面掌握內(nèi)了解內(nèi)存的各種特性，必須全面掌握內(nèi)存的各項(xiàng)性

20、能指標(biāo)。存的各項(xiàng)性能指標(biāo)。5.2.1 內(nèi)存的容量?jī)?nèi)存的容量l 內(nèi)存容量是指該內(nèi)存條的存儲(chǔ)容量，是用戶接觸內(nèi)存容量是指該內(nèi)存條的存儲(chǔ)容量，是用戶接觸最多的內(nèi)容性能指標(biāo)之一，也是評(píng)判內(nèi)存性能的一項(xiàng)最多的內(nèi)容性能指標(biāo)之一，也是評(píng)判內(nèi)存性能的一項(xiàng)主要指標(biāo)。內(nèi)存的容量一般都是主要指標(biāo)。內(nèi)存的容量一般都是2的整次方倍，例如的整次方倍，例如128MB、256MB等。目前，內(nèi)存容量已經(jīng)開(kāi)始使用等。目前，內(nèi)存容量已經(jīng)開(kāi)始使用GB作為單位，如常見(jiàn)內(nèi)存至少都是作為單位，如常見(jiàn)內(nèi)存至少都是1GB，而更大容量，而更大容量的的2GB、4GB、8GB等內(nèi)存也已逐漸普及。一般情況等內(nèi)存也已逐漸普及。一般情況下，內(nèi)存容量越大，

21、其系統(tǒng)的運(yùn)行也就越穩(wěn)定下，內(nèi)存容量越大，其系統(tǒng)的運(yùn)行也就越穩(wěn)定5.2.2 內(nèi)存的主頻內(nèi)存的主頻內(nèi)存主頻以內(nèi)存主頻以MHz為單位來(lái)計(jì)算的，為單位來(lái)計(jì)算的，與與CPU一樣，習(xí)慣上被用來(lái)表示內(nèi)存一樣，習(xí)慣上被用來(lái)表示內(nèi)存的速度，代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最的速度，代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。例如高工作頻率。例如2010年較為主流的年較為主流的內(nèi)存頻率是內(nèi)存頻率是533 MHz /667 MHz /800 MHz的的DDR2內(nèi)存。內(nèi)存。 當(dāng)前較為流行的當(dāng)前較為流行的DDR3頻率在頻率在1600MHz以上。以上。5.2.3 內(nèi)存的延遲時(shí)間內(nèi)存的延遲時(shí)間l 內(nèi)存延遲表示系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等

22、待內(nèi)內(nèi)存延遲表示系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存相應(yīng)的時(shí)間，通常用存相應(yīng)的時(shí)間，通常用4個(gè)連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來(lái)表示，如個(gè)連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來(lái)表示，如3-4-4-8、4-4-4-12等，分別代表等，分別代表CL-TRP-TRCD-TRAS。其其中，第一個(gè)數(shù)字最為重要，它表示的是中，第一個(gè)數(shù)字最為重要，它表示的是CAS Latency（列（列地址選通脈沖時(shí)間延遲地址選通脈沖時(shí)間延遲 ）的縮寫的縮寫,指的從讀取請(qǐng)求開(kāi)始到指的從讀取請(qǐng)求開(kāi)始到輸出端可以提供數(shù)據(jù)為止的時(shí)間輸出端可以提供數(shù)據(jù)為止的時(shí)間.一般而言，這一般而言，這4個(gè)數(shù)字越個(gè)數(shù)字越小，表示內(nèi)存的性能越好。小，表示內(nèi)存的性能越好。255.2.

23、4 內(nèi)存帶寬內(nèi)存帶寬l 內(nèi)存是內(nèi)存控制器與CPU之間的橋梁與倉(cāng)庫(kù)，橋梁與倉(cāng)庫(kù)兩者缺一不可，其內(nèi)存的容量直接決定了倉(cāng)庫(kù)的大小，而內(nèi)存的帶寬則決定了“橋梁”的寬度，即內(nèi)存速度。提高內(nèi)存帶寬，在一定層度上可以快速提升內(nèi)存的整體性能。1內(nèi)存帶寬的重要性內(nèi)存帶寬的重要性2提高內(nèi)存帶寬提高內(nèi)存帶寬265.3 內(nèi)存技術(shù)內(nèi)存技術(shù)l 隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的不斷發(fā)展，傳統(tǒng)內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率已經(jīng)無(wú)法滿足CPU日益增加的運(yùn)算能力。為此，廠商不斷研制包含一些新技術(shù)的內(nèi)存，并研發(fā)并推出多通道內(nèi)存技術(shù)。27285.3.1 多通道內(nèi)存技術(shù)多通道內(nèi)存技術(shù)l 多通道內(nèi)存技術(shù)是同時(shí)運(yùn)行多個(gè)內(nèi)存控制器多通道內(nèi)存技術(shù)是同時(shí)運(yùn)行多個(gè)內(nèi)存控制器

24、的方法，從而在低成本的情況下，盡可能的提高的方法，從而在低成本的情況下，盡可能的提高了內(nèi)存性能。目前市場(chǎng)上出現(xiàn)了雙通道和三通道了內(nèi)存性能。目前市場(chǎng)上出現(xiàn)了雙通道和三通道內(nèi)存技術(shù)，其四通道內(nèi)存技術(shù)也即將面世。內(nèi)存技術(shù)，其四通道內(nèi)存技術(shù)也即將面世。雙通道技術(shù)雙通道技術(shù)三通道技術(shù)三通道技術(shù)295.3.2 內(nèi)存新技術(shù)（了解）內(nèi)存新技術(shù)（了解） 每種新型計(jì)算機(jī)硬件設(shè)備的出現(xiàn)，必然伴隨著一定的新技術(shù)，內(nèi)存也不例外。本節(jié)便將對(duì)應(yīng)用于DDR2和DDR3上的新技術(shù)進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。1應(yīng)用于應(yīng)用于DDR2的技術(shù)的技術(shù)2應(yīng)用于應(yīng)用于DDR3的技術(shù)的技術(shù)5.4 內(nèi)存故障與選購(gòu)內(nèi)存故障與選購(gòu) 內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中數(shù)據(jù)的處理中心，是保障就是運(yùn)行的重要組件。當(dāng)內(nèi)存出現(xiàn)故障時(shí)，一般會(huì)直接導(dǎo)致計(jì)算機(jī)無(wú)法開(kāi)機(jī)，或者導(dǎo)致系統(tǒng)多次自動(dòng)重啟等現(xiàn)象。在本小節(jié)中，將詳細(xì)介紹選購(gòu)內(nèi)存的一些基本知識(shí)，以及平時(shí)使用內(nèi)存出現(xiàn)故障時(shí)，所使用的一些處理方法和和維修技巧。305.4.1 內(nèi)存常見(jiàn)故障內(nèi)存常見(jiàn)故障l 在實(shí)際使用計(jì)算機(jī)的過(guò)程中，經(jīng)常會(huì)碰到一些莫在實(shí)際使用計(jì)算機(jī)的過(guò)程中，經(jīng)常會(huì)碰到一些莫名其妙的問(wèn)題，有些問(wèn)題有可能是系統(tǒng)造成的，但大名其妙的問(wèn)題，有些問(wèn)題有可能是系統(tǒng)造成的，但大多數(shù)問(wèn)題也許是內(nèi)存細(xì)微故障引起的。一般