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文檔簡(jiǎn)介

1、esd培訓(xùn)課程培訓(xùn)課程編制:kevinchen日期:2013-6-21esd培訓(xùn)課程培訓(xùn)課程 課程目的課程目的 esd( e electros static d discharge)是電子可靠性工程的重要組成部分,本教材全面系統(tǒng)介紹了esd基本知識(shí)、esd控制標(biāo)準(zhǔn)、esd防護(hù)技術(shù)等esd知識(shí) 通過學(xué)習(xí)可以理解esd對(duì)電子產(chǎn)品的危害,明白esd控制的重要性. 一、一、esdesd基本知識(shí)基本知識(shí) 二、二、esdesd標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 三、三、esdesd控制控制esd培訓(xùn)課程培訓(xùn)課程 接地線 接地線也稱為地線母線。接地主干線的截面積應(yīng)不小于100mm2,支干線的截面積應(yīng)不小于6 mm2 ,設(shè)

2、備和工作臺(tái)的接地線采用截面積應(yīng)不小于1.25mm2 的導(dǎo)線,并以黃綠色為宜。 接地線又分為硬接地和軟接地。 硬接地-(hard ground)直接與大地電極作導(dǎo)電性連接的一種接地方式。 軟接地-(soft ground)通過一足以限制流過人體的電流達(dá)到安全值的電阻連接到大地電極的一種接地方式(軟接地的漏電流不超過5ma,靜電手腕帶的泄漏電阻值應(yīng)為1mohm100mohm,靜電泄放至100伏以下的時(shí)間小于0.1s)。esd基本知識(shí)基本知識(shí) 靜電及靜電放電靜電及靜電放電 靜電:靜電:就是物體的表面一種處于相對(duì)穩(wěn)定狀態(tài)的電荷。就是物體的表面一種處于相對(duì)穩(wěn)定狀態(tài)的電荷。 靜電放電(靜電放電(esdes

3、d)帶有不同靜電電位差帶有不同靜電電位差, ,在物體或表面在物體或表面之間的靜電電荷轉(zhuǎn)移。分接觸放電和電場(chǎng)擊穿介質(zhì)放電。之間的靜電電荷轉(zhuǎn)移。分接觸放電和電場(chǎng)擊穿介質(zhì)放電。 靜電過栽(靜電過栽(eoseos)導(dǎo)致電子元件損壞的結(jié)果。導(dǎo)致電子元件損壞的結(jié)果。esd基本知識(shí)基本知識(shí) 靜電標(biāo)識(shí)靜 電 敏 感 區(qū)域警示標(biāo)志靜電敏感標(biāo)識(shí)靜電防護(hù)標(biāo)識(shí)噴防靜電液標(biāo)識(shí)esd基本知識(shí)基本知識(shí) 靜電的產(chǎn)生靜電的產(chǎn)生: : a) 摩擦帶電:摩擦帶電:物質(zhì)相互摩擦?xí)r,由于摩擦發(fā)生接觸位置的移物質(zhì)相互摩擦?xí)r,由于摩擦發(fā)生接觸位置的移 動(dòng)和電荷分離而放出靜電。動(dòng)和電荷分離而放出靜電。 b) 流動(dòng)帶電:流動(dòng)帶電:用管路輸送液

4、體產(chǎn)生的靜電。用管路輸送液體產(chǎn)生的靜電。 c) 噴出帶電:噴出帶電:由粉體、液體和氣體從截面小的開口部位噴出由粉體、液體和氣體從截面小的開口部位噴出, 發(fā)生摩擦而產(chǎn)生靜電;液體和粉體本身相互之發(fā)生摩擦而產(chǎn)生靜電;液體和粉體本身相互之 間的撞擊間的撞擊,以及小的飛沫摩擦產(chǎn)生大量的靜電。以及小的飛沫摩擦產(chǎn)生大量的靜電。 d) 剝離帶電:剝離帶電:互相密切結(jié)合的物體被剝離時(shí)引起電荷分離而互相密切結(jié)合的物體被剝離時(shí)引起電荷分離而 產(chǎn)生靜電產(chǎn)生靜電esd基本知識(shí)基本知識(shí) 靜電的特性靜電的特性 在在30003000伏時(shí),你能通過皮膚感知伏時(shí),你能通過皮膚感知 在在50005000伏時(shí),你能聽見伏時(shí),你能聽

5、見 在在1000010000伏里,你能看見伏里,你能看見高電位:可達(dá)數(shù)萬至數(shù)十萬伏,人員操作時(shí)常達(dá)數(shù)百和數(shù)千高電位:可達(dá)數(shù)萬至數(shù)十萬伏,人員操作時(shí)常達(dá)數(shù)百和數(shù)千伏(人通常對(duì)伏(人通常對(duì)3.5kv以下靜電不易感覺到)以下靜電不易感覺到) 低電量:靜電流多為微安級(jí)(尖端放電例外)低電量:靜電流多為微安級(jí)(尖端放電例外) 作用時(shí)間短:微秒級(jí)作用時(shí)間短:微秒級(jí) 受環(huán)境影響大:特別是濕度,濕度上升則靜電積累減少,靜受環(huán)境影響大:特別是濕度,濕度上升則靜電積累減少,靜電壓下降電壓下降.esd基本知識(shí)基本知識(shí)作業(yè)與靜電作業(yè)與靜電 人體活動(dòng)產(chǎn)生典型的靜電電壓人體活動(dòng)產(chǎn)生典型的靜電電壓(v)人體活動(dòng)濕度10-2

6、0%濕度65-90%在地毯上走動(dòng)350001500在聚乙稀地板上走動(dòng)12000250在工作臺(tái)上工作6000100拿聚乙烯纖維包7000600從工作臺(tái)上拿起聚乙烯襯墊200001200坐在填有聚氟脂泡沫的椅子上 1800015000esd基本知識(shí)基本知識(shí) esdesd的危害的危害 1、吸附灰塵縮短產(chǎn)品壽命在旦夕 3、放電損傷產(chǎn)品失效 4、電磁干擾過程中斷(不良數(shù)據(jù)、軟件錯(cuò)誤、校準(zhǔn)失誤、處理器停止運(yùn)作)硬損傷(致命損害):表現(xiàn)為器件電參數(shù)突然劣化,失去原有功能。軟損傷(隱性損害):受到軟損傷的器件,雖然當(dāng)時(shí)各類電參數(shù)仍合格,然而其使用壽命卻大大縮短了 esd失效:熱熔化、介質(zhì)擊穿、esd引發(fā)eos

7、esd基本知識(shí)基本知識(shí) 靜電放電三要素靜電放電三要素 qm d=esd“q”:一定積累的靜電荷“m”:放電途徑,如金屬接觸、對(duì)地或低阻的泄放路徑“”:靜電第三器件“”就是放電() 放電途徑靜電荷esd敏感器件esd基本知識(shí)基本知識(shí) 電子產(chǎn)品失效情況 根據(jù)rac的統(tǒng)計(jì),在所有硬件故障中,esd失效率占15%,而高靜電敏感的器件eos/esd失效率高達(dá)60%左右. esd引起半導(dǎo)體器件操作,使器件立即失效的機(jī)率約10%(短路、開路、無功能、參數(shù)不符合要求),而90%的器件則是引入潛在性損傷,損傷后電參數(shù)仍符合規(guī)定要求,但減弱了器件抗過電應(yīng)力的能力,在使用現(xiàn)場(chǎng)容易出現(xiàn)早期失效esd基本知識(shí)基本知識(shí)

8、器件的esd失效特征靜電損傷是一種偶然事件,一般講是與時(shí)間無關(guān)的,所以不能通過老化篩選方法加以剔除,相反,在老化過程中,由于器件接地不良,老化設(shè)備不適當(dāng)?shù)倪B接等,反而會(huì)提高失效的百分比。esd基本知識(shí)基本知識(shí)esd靜電培訓(xùn)課程靜電培訓(xùn)課程 一一、esdesd基本知識(shí)基本知識(shí) 二、二、esdesd標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 三、三、esdesd控制控制esd標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試器件器件esd敏感因素敏感因素 esd對(duì)半導(dǎo)體器件和電子產(chǎn)品都存在嚴(yán)重危害對(duì)半導(dǎo)體器件和電子產(chǎn)品都存在嚴(yán)重危害,esd對(duì)電子產(chǎn)對(duì)電子產(chǎn)品和器件的可靠性影響的主要因素有品和器件的可靠性影響的主要因素有:電場(chǎng)強(qiáng)度、放電電流、電磁電場(chǎng)

9、強(qiáng)度、放電電流、電磁干擾干擾。 影響器件影響器件esd敏感程度的因素包括敏感程度的因素包括:器件設(shè)計(jì)(結(jié)構(gòu)和工藝)、:器件設(shè)計(jì)(結(jié)構(gòu)和工藝)、esd電流、能量包裹、電場(chǎng)強(qiáng)度、放電的上升時(shí)間、制造工藝和器電流、能量包裹、電場(chǎng)強(qiáng)度、放電的上升時(shí)間、制造工藝和器件的封閉類型等。件的封閉類型等。 能量型敏感器件能量型敏感器件的損傷是由于流過雙極型結(jié)構(gòu)電阻、保護(hù)電阻、的損傷是由于流過雙極型結(jié)構(gòu)電阻、保護(hù)電阻、薄膜電阻、金屬連線等的過電流引起。薄膜電阻、金屬連線等的過電流引起。即電流過大燒壞即電流過大燒壞 電壓敏感性器件電壓敏感性器件的損傷是由于的損傷是由于esd電壓超過了器件內(nèi)部氧化層、電壓超過了器件內(nèi)

10、部氧化層、mos管的柵極搶救無效的擊穿電壓引起。管的柵極搶救無效的擊穿電壓引起。即擊穿即擊穿 器件器件esdesd敏感度測(cè)試分析標(biāo)準(zhǔn)敏感度測(cè)試分析標(biāo)準(zhǔn)esd模型esd標(biāo)準(zhǔn)及測(cè)試方法hbmjesd 22-a114-b:2000esdstm5.1mil-std-883 method 3015mil-std-750 method 1020mil-prf-19500mil-prf-38535mmjesd 22-a115-a:1997esd-stm5.2cdmjesd 22-c101-a:2001esd-stm5.3.1esd標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 人體模式人體模式(hbm: human body mod

11、el)(hbm: human body model) 該模型表征人體帶電接觸器件放電該模型表征人體帶電接觸器件放電,esd stm5.1,esd stm5.1和和jedec jedec eia/jesd22-a114-beia/jesd22-a114-b的器件的器件esdesd電壓閾值水平電壓閾值水平 class 0 : 250vclass 0 : 250v class 1a: 250v to 500v class 1a: 250v to 500v class 1b: 500v to 1000v class 1b: 500v to 1000v class 1c: 1000v to 2000v

12、class 1c: 1000v to 2000v class 2 : 2000v to 4000v class 2 : 2000v to 4000v class 3a: 4000v to 8000v class 3a: 4000v to 8000v class 3b: class 3b: 8000v8000vesd標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 人體模型(人體模型(hbm) 靜電損傷最普遍的原因之一是通過人體或帶電材料,到靜電放電敏感器件(essd)發(fā)生靜電電荷的直接轉(zhuǎn)移。當(dāng)人走過樓面時(shí),靜電電荷就在人體上積累。手指與essd器件或組件表面的簡(jiǎn)單接觸就可使人體放電,可能造成器件損壞。用以模擬這類事件的模

13、型就叫人體模型(hbm), 其等效電路如圖所示。 e 高壓直流電源 (05kv) rb 人體等效電阻 (1.5k1%) cb 人體等效電容(100pf10%) rs 充電限流電阻(110m) dut 被試器件 k1 高壓繼電器 esd標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 機(jī)器模式機(jī)器模式(mm: machine model)(mm: machine model) 機(jī)器模型的等效電路與人體模型相似機(jī)器模型的等效電路與人體模型相似, ,但等效電但等效電容容(cb(cb) )是是200pf,200pf,等效電阻為等效電阻為0,0,機(jī)器模型與人體模機(jī)器模型與人體模型的差異較大型的差異較大, ,實(shí)際上機(jī)器的儲(chǔ)電電容變化

14、較大實(shí)際上機(jī)器的儲(chǔ)電電容變化較大, ,但為了描述的統(tǒng)一但為了描述的統(tǒng)一, ,取取200pf,200pf,由于機(jī)器模型放電時(shí)由于機(jī)器模型放電時(shí)沒有電阻,且儲(chǔ)電電容大于人體模式,同等電壓沒有電阻,且儲(chǔ)電電容大于人體模式,同等電壓對(duì)器件的損害,機(jī)器模式遠(yuǎn)大于人體模型。對(duì)器件的損害,機(jī)器模式遠(yuǎn)大于人體模型。esd標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 機(jī)器模式()機(jī)器模式()esd stm5.2 esd stm5.2 器件器件esdesd電壓閾值電壓閾值 class m1 : 100v class m1 : 100v class m2 : 100 to 200v class m2 : 100 to 200v class

15、 m3 : 200 to 400v class m3 : 200 to 400v class m4 : class m4 : 400v400vesd標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 機(jī)器模式機(jī)器模式(mm)(mm) eia/jesd22-a115aeia/jesd22-a115a器件器件esdesd電壓閾值電壓閾值 class a : 200vclass a : 200v class b : 200 to 400v class b : 200 to 400v class c : class c : 400v400vesd標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 充電器件模型充電器件模型(cdm: charged device

16、 model)cdm: charged device model) 半導(dǎo)體器件主要采用三種封裝形式金屬半導(dǎo)體器件主要采用三種封裝形式金屬 陶瓷陶瓷 塑料塑料).).它們?cè)谘b配、它們?cè)谘b配、傳遞、試驗(yàn)、測(cè)試、運(yùn)輸及存貯過程中,由于管殼與其它絕緣材料傳遞、試驗(yàn)、測(cè)試、運(yùn)輸及存貯過程中,由于管殼與其它絕緣材料(如用的塑料袋、傳遞用的塑料窗口等)相互摩擦,就會(huì)使管殼帶電。(如用的塑料袋、傳遞用的塑料窗口等)相互摩擦,就會(huì)使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個(gè)極板而存貯電荷。器件本身作為電容器的一個(gè)極板而存貯電荷。cdmcdm模型就是基于已帶電模型就是基于已帶電的器件通過管腳與地接觸時(shí),發(fā)生對(duì)地放電引起器

17、件失效而建立的器件通過管腳與地接觸時(shí),發(fā)生對(duì)地放電引起器件失效而建立的的.jedec jesd22-c101-b.jedec jesd22-c101-b器件器件esdesd電壓閾值如下:電壓閾值如下: classclass : 200v : 200v classclass: 200 to 500v: 200 to 500v class class : 500 to 1000v: 500 to 1000v class class : above 1000v: above 1000vesd標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 充電器件模式(cdm) esd stm 5.3.1器件esd電壓閾值 class c1

18、: 125v class c2 : 125 to 250v class c3 : 250 to 500v class c4 : 500 to 1000v class c5 : 1000 to 1500v class c6 : 1500 to 2000v class c7 : 2000vesd標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 esdesd的一般要求的一般要求 hbm hbm : 2kv2kv mm mm : 200v200v cdm cdm : 700 to 1000v700 to 1000vesd標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)esd控制標(biāo)準(zhǔn)控制標(biāo)準(zhǔn) ansi s20.20 主要的主要的esdesd

19、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) -iec 61000-4-2 (規(guī)定 150pf/330ohms) 為產(chǎn)品級(jí)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),是最基本的靜電emc標(biāo)準(zhǔn) 1、被歐盟立法強(qiáng)制要求所有進(jìn)入歐盟的產(chǎn)品必須符合該標(biāo)準(zhǔn)。 2、它制定的等級(jí)、測(cè)試方法和測(cè)試程序都比較合理。 -ansi c63.16 美國(guó)家電行業(yè)、消費(fèi)類產(chǎn)品、通信產(chǎn)品 -完整的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)包括測(cè)試等級(jí)和判據(jù) -由美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)發(fā)布 -與iec 61000-4-2相似,但是仍然由一些不同esd標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試esd靜電培訓(xùn)課程靜電培訓(xùn)課程 一一、esdesd基本知識(shí)基本知識(shí) 二、二、esdesd標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試 三、三、esdesd控制控制esd控制控制 器件

20、在生產(chǎn)、測(cè)試試驗(yàn)、運(yùn)輸、保管和使用現(xiàn)場(chǎng)必須采取有效措施以消除靜電的產(chǎn)生和積累。 控制標(biāo)準(zhǔn)按照美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)ansi/esd s20.20. 國(guó)際企業(yè)和面向海外市場(chǎng)的中國(guó)企業(yè)可以申請(qǐng)s20.20的要求因素: 建立靜電控制組織結(jié)構(gòu)和防靜電文件體系 覆蓋所有的區(qū)域和個(gè)人 全流程稽查和全員培訓(xùn) 隨著產(chǎn)品的發(fā)展,不斷提高esd防護(hù)水平以及再培訓(xùn) esdesd(控制水平(控制水平hbmhbm為為100v100v)控制要解決的)控制要解決的問題問題 why who where what howesd控制控制 esdesd控制控制whywhy? 內(nèi)部的影響:時(shí)間、成本內(nèi)部的影響:時(shí)間、成本 外部的影響;服務(wù)、品

21、牌、客戶滿意度外部的影響;服務(wù)、品牌、客戶滿意度 減少損失減少損失 提高產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性提高產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性 提高生產(chǎn)效率提高生產(chǎn)效率 提高產(chǎn)品生命周期和運(yùn)行穩(wěn)定性提高產(chǎn)品生命周期和運(yùn)行穩(wěn)定性 指示靜電防護(hù)回報(bào)達(dá):以上指示靜電防護(hù)回報(bào)達(dá):以上esd控制控制 esdesd控制控制who?who? 所有接觸所有接觸esdesd的人員的人員, ,從器件制造商到電子產(chǎn)品最從器件制造商到電子產(chǎn)品最終用戶終用戶 靜電控制要求全員參與靜電控制要求全員參與, ,對(duì)所有接觸靜電敏感器件對(duì)所有接觸靜電敏感器件的人員進(jìn)行培訓(xùn)的人員進(jìn)行培訓(xùn), ,提高人員的防靜電意識(shí)提高人員的防靜電意識(shí). . 全員培訓(xùn)全員培訓(xùn) 全員考

22、核全員考核 稽查改進(jìn)稽查改進(jìn)esd控制控制 esdesd控制控制where?where? 靜電控制要求在產(chǎn)品的整個(gè)生命周期內(nèi)考慮靜電控制要求在產(chǎn)品的整個(gè)生命周期內(nèi)考慮, ,考慮控制器考慮控制器件,產(chǎn)品經(jīng)過的所有環(huán)節(jié),包括來料、庫(kù)房、加工制造、測(cè)件,產(chǎn)品經(jīng)過的所有環(huán)節(jié),包括來料、庫(kù)房、加工制造、測(cè)試、包裝、運(yùn)輸、用戶環(huán)境、使用、維護(hù)等都需要進(jìn)行靜電試、包裝、運(yùn)輸、用戶環(huán)境、使用、維護(hù)等都需要進(jìn)行靜電控制??刂啤?epaepa區(qū)域(區(qū)域(esd protection area)esd protection area)靜電防護(hù)區(qū)域靜電防護(hù)區(qū)域靜電敏感區(qū)域警示標(biāo)志esd控制控制 控制什么控制什么wha

23、twhat? 環(huán)境人員材料設(shè)備地板個(gè)人物品原材料電批溫濕地度工衣周轉(zhuǎn)材料鉻鐵工作臺(tái)工鞋包裝材料測(cè)試議工裝夾具接地工具顯示器esd控制控制如何進(jìn)行如何進(jìn)行esdesd控制控制howhow? 根據(jù)發(fā)生根據(jù)發(fā)生esdesd的三個(gè)要素:即的三個(gè)要素:即q qm m d=esdd=esd 靜電控制需要:靜電控制需要: 1 1、盡量防止和減小靜電荷的產(chǎn)生、盡量防止和減小靜電荷的產(chǎn)生 2 2、加速靜電荷的逸散泄漏,防止靜電荷積累、加速靜電荷的逸散泄漏,防止靜電荷積累 控制靜電方法控制靜電方法: : 隔離、中和、屏蔽、消散隔離、中和、屏蔽、消散環(huán)境濕度、接地、靜電材料的應(yīng)用和離子化處理是其主要手段。環(huán)境濕度、

24、接地、靜電材料的應(yīng)用和離子化處理是其主要手段。esd控制控制 現(xiàn)場(chǎng)如何進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)如何進(jìn)行esd控制控制how? 建立建立esdesd防護(hù)體系文件和管理組織防護(hù)體系文件和管理組織 建立建立epaepa并宣言并宣言epaepa的防護(hù)水平的防護(hù)水平 明確防靜電標(biāo)識(shí)明確防靜電標(biāo)識(shí) epaepa溫濕度控制、地板及接地系統(tǒng)溫濕度控制、地板及接地系統(tǒng) 對(duì)區(qū)域內(nèi)的所有導(dǎo)體包括人員可靠接地對(duì)區(qū)域內(nèi)的所有導(dǎo)體包括人員可靠接地 在在epaepa控制區(qū)域操作所有靜電敏感器件控制區(qū)域操作所有靜電敏感器件 存儲(chǔ)、運(yùn)輸所有靜電敏感器件要用防靜電包裝存儲(chǔ)、運(yùn)輸所有靜電敏感器件要用防靜電包裝 消除一切不必要的靜電產(chǎn)生源消除一切不

25、必要的靜電產(chǎn)生源 離子風(fēng)機(jī)的使用離子風(fēng)機(jī)的使用 運(yùn)用運(yùn)用1212英寸原則英寸原則 測(cè)試和監(jiān)控整個(gè)靜電控制流測(cè)試和監(jiān)控整個(gè)靜電控制流esd控制控制 設(shè)立靜電防護(hù)區(qū)(設(shè)立靜電防護(hù)區(qū)(epa) 為什么設(shè)立為什么設(shè)立epa?在通常的電子設(shè)備生產(chǎn)、組裝和維護(hù)現(xiàn)場(chǎng),各種原在通常的電子設(shè)備生產(chǎn)、組裝和維護(hù)現(xiàn)場(chǎng),各種原因產(chǎn)生的高靜電壓是很普遍的現(xiàn)象,可能導(dǎo)致靜電敏感器件的損傷。因此,因產(chǎn)生的高靜電壓是很普遍的現(xiàn)象,可能導(dǎo)致靜電敏感器件的損傷。因此,有必要提供一個(gè)安全的工作區(qū)域。靜電防護(hù)區(qū)(有必要提供一個(gè)安全的工作區(qū)域。靜電防護(hù)區(qū)(epa)正是為此目的而設(shè))正是為此目的而設(shè)計(jì)。在進(jìn)行計(jì)。在進(jìn)行epa環(huán)境設(shè)計(jì)時(shí),

26、為達(dá)到靜電防護(hù)的要求應(yīng)遵循以下原則:環(huán)境設(shè)計(jì)時(shí),為達(dá)到靜電防護(hù)的要求應(yīng)遵循以下原則: 1、抑制靜電荷的積累和靜電壓的產(chǎn)生。、抑制靜電荷的積累和靜電壓的產(chǎn)生。 2、安全、迅速、有效的消除已產(chǎn)生的靜電荷、安全、迅速、有效的消除已產(chǎn)生的靜電荷epa必須達(dá)到以下的基本要求:必須達(dá)到以下的基本要求: 1、明確的區(qū)域界限和防靜電警示標(biāo)志。、明確的區(qū)域界限和防靜電警示標(biāo)志。 2、對(duì)區(qū)域內(nèi)的所有導(dǎo)體包括人員可靠接地。、對(duì)區(qū)域內(nèi)的所有導(dǎo)體包括人員可靠接地。 3、消除一切不必要的靜電產(chǎn)生源。、消除一切不必要的靜電產(chǎn)生源。 4、用、用12英寸原則,即英寸原則,即essd必須遠(yuǎn)離靜電源至少必須遠(yuǎn)離靜電源至少30厘米處。厘米處。esd控制控制 環(huán)境控制環(huán)境控制 溫濕度控制:溫濕度控制: 溫度:溫度:15 28 濕度:濕度:45% 60% 物料分區(qū):物料分區(qū): 防靜電區(qū)、非防靜電區(qū)、壞件區(qū)、操作區(qū)、辦公區(qū)、備用防靜電區(qū)、非防靜電區(qū)、壞件區(qū)、操作區(qū)、辦公區(qū)、備用包材區(qū)、雜物區(qū)包材區(qū)、雜物區(qū)esd控制控制 epa區(qū)內(nèi)特殊情況處理1、原則上不允許高靜電產(chǎn)生材料進(jìn)入epa區(qū)域,因?qū)嶋H需求必須進(jìn)入epa的高靜電產(chǎn)生材料需要進(jìn)行適當(dāng)?shù)目刂啤?、epa內(nèi)存在高于100v的靜電源必須

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